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做过电源设计的工程师,估计都遇到过这种糟心事:板子跑着跑着突然重启,一摸芯片烫得吓人;或者MOS管热到可以煎鸡蛋,不加散热片根本不敢用。说起来这背后的问题,很可能就是你的PCB散热设计没做好。很多人觉得散热嘛,不就是铺个大铜皮、加几个过孔的

热设计基础:铜皮和过孔怎么配合散热才有效

1、耦合电感HSC的波形每个开关周期,工作占空比D=0.5,两组开关管Q1、Q3、Q5和Q2、Q4、Q6交替开关工作,相位相差180度,输入电源对其中一个飞跨电容充电向输出负载传输能量,另一个飞跨电容放电实现电荷平衡,开关管工作在零电压ZVS软开关状态,耦合电感HSC变换器工作波形,如图1所示。图1

AI服务器48V转12/6V电源架构:耦合电感HSC变换器功率MOSFET管选型(2)

下图展示了一个咱们常见的简单电路:利用一个NMOS(Q2)来控制PMOS(Q1)的通断,它通常应用于需要对某路电压进行时序控制的场景,例如电源时序管理、背光电压或LCD屏供电的控制。然而,在实际的产品兼容性设计中,我们往往会面临两种输入电压的情况:第一,输入电压VCC为DC12V或DC24V,也就是

请问:这种MOS管电压的兼容设计,有没有风险?

上周帮一个学员看他的48V转12V降压电源,板子打回来调试了半天,效率死活卡在84%。换了个更低Rds(on)的MOS管,加了昂贵的日系电容,折腾了一圈——还是那个数。他跟我说:"师兄,这料都堆上了,怎么还不行?"我让他把板子发过来,看了一

开关电源效率卡在85%上不去?多半是这3个走线细节在作怪

同步整流技术通过低导通电阻的MOSFET替代传统二极管,显著提升了电源效率。然而,在轻载条件下,其效率却常出现明显下降,成为制约技术进一步应用的关键问题。1、反向电流是元凶‍轻载时,电感电流易降至零并反向流动,导致能量损耗。此时,若下侧MO

同步整流轻载效率低怎么办?

译码器输出悬空,看似什么都没接,实则暗流涌动。功耗和噪声都会找上门,但要说哪个更要命,答案很明确。1、悬空等于什么?对于TTL电路,输出悬空相当于正逻辑"1"。但这不是安静的高电平,而是一个随时可能被干扰撬动的脆弱状态。CMOS虽然静态电流

译码器输出悬空:功耗和噪声,谁更要命?

特罗半导体作为一家半导体制造企业,致力于提供高性能和创新型的半导体产品,广泛服务于通信、消费电子、汽车电子及工业控制等领域。功率半导体器件‍功率半导体是特罗半导体的重要产品之一,主要包括功率MOSFET、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和功率

特罗半导体的热门产品有哪些?

多路复用器一切换,输出端就冒出ns级电压尖峰,幅值可达50至200mV。罪魁祸首就是电荷注入。不搞定它,16位ADC读出来可能只剩12位。1、毛刺从哪来?模拟开关由并联的NMOS和PMOS构成。控制信号跳变时,栅极-漏极寄生电容CGD将电荷

电荷注入毛刺怎么滤?三招搞定

做过射频功放设计的工程师应该都有这种感受:效率高的功放,线性度往往不理想;线性度好的功放,效率又上不去。这俩就像鱼和熊掌,似乎总也兼得不了。拿5G基站来说吧,现在主流的氮化镓(GaN)功放效率能到50%-60%,比传统的LDMOS高出一大截

GaN+DPD组合,线性度和效率两不误

SW节点振铃是开关电源设计中最常见的"隐形杀手"。它不仅引发EMI超标,更可能击穿MOSFET,导致炸机。搞定振铃,RC吸收电路是第一道防线。1、振铃从何而来?本质是寄生电感Lp与寄生电容Cp构成的LC谐振回路。开关管高速切换时,di/dt

开关电源SW节点振铃与RC吸收参数配置