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上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
功率MOSFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
MOSFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在MOSFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压
TLE92108-232QX 多MOSFET驱动器设计在一个封装中最多控制8个半桥（最多16个N沟道MOSFET）。TLE92108-23xQX驱动器非常适合用于涉及汽车直流电机和电磁阀控制的应用，如电动座椅模块、电动闭合系统等。通过24位
MOS管能否被静电击穿？
作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管（上管，功率MOSFET）和续流管（下管，功率MOSFET）、以及输出电感和滤波电容。通常，PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱，从而简化系统设计，如图1所示。 输出负载电流较小时，将2个功率MOSFET集成到IC内部，进
开关电源变压器设计
小编推荐值得一看的书单电力电子技术与新能源推荐书单合肥工业大学-张兴-高等电力电子技术-风力发电最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一SiC Power Module Packaging Design High Electrical and Therma[视频]逆变器Inverters, How
很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
在PCB设计中，电子工程师会遇见各种各样的问题，其中之一是MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的发热问题，遇到这些问题如何分析发热、如何解决？下面一起来看看吧！1、MOS管为什么会发热？①导通时的电阻 在MOS管导通时，其通道内会有一定电阻
