1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.

在深圳电路设计中，经常会碰到一些功耗较高的元器件，如电源芯片、MOSFET、IGBT等。线型电源芯片选择时，知道输入电源、输出电源、以及输出电流时，以前个人做法就是，稳定工作时，电源芯片的外壳不烫手，所以尽量选择大一点的外壳封装芯片。如24V电源转18V电源，需要输出电流100mA，可选用78系列芯片，其封装有直插TO220、TO92，贴片TO236、TO89、TO252、SO8等等，这些芯片输出电压18V，输出电流都大于100mA，如何选择呢？

FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高

掌握硬件工程师必备技能:1.掌握无源器件，有源器件，功率/电力器件以及EMC相关元器件等其选型应用以及用这些元器件构建的实用的子系统电路2.掌握在各个产品中经常使用的元器件其驱动电路的设计，包括有:MOSFET,SCR,TRIAC,IGBT等3.掌握常见的12种运放设计模式4.掌握电源接口和通讯接口电路设计5.掌握各种有源无源滤波电路设计6.掌握电源树的设计

很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压