产品简介CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半

GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用

1、HMC465LP5TR宽带驱动放大器，采用SMT封装，DC - 20 GHz，32QFNHMC465LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在DC到20 GHz的频率范围内工作。

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本文要点高电子迁移率晶体管 (High electron mobility transistors ，HEMT) 和伪高电子迁移率晶体管 (pseudomorphic high electron mobility transistors ，