扫码关注
- 全部
- 默认排序
本文要点高电子迁移率晶体管 (High electron mobility transistors ，HEMT) 和伪高电子迁移率晶体管 (pseudomorphic high electron mobility transistors ，
一、HMC547ALP3ETR SPDT非反射式开关概述：HMC547ALP3E是一款通用的宽带高隔离度非反射GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚QFN塑封表贴封装。该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离和低插入损
1、PHA-13LN+（符合RoHS标准）是一款先进的宽带放大器，采用E-PHEMT*技术制造，在宽频率范围内提供极高的动态范围和低噪声系数。此外，PHA-13LN+在较宽的频率范围内具有良好的输入和输出回波损耗。相对较低的电源电压使该模型
1、HMC465LP5TR宽带驱动放大器，采用SMT封装，DC - 20 GHz，32QFNHMC465LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在DC到20 GHz的频率范围内工作。
产品简介CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGaN™可实现更简单的半
摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率
在高频通信、雷达和高功率开关电源等前沿领域，高电子迁移率晶体管（High-Electron-Mobility Transistor， HEMT）凭借其卓越的性能，已成为不可或缺的核心器件。然而，HEMT结构的特殊性使其本身存在着电、热性能间的强烈博弈，制约着器件频率与功率的进一步发展。高功率工况下，
HMC566LP4E是一款高动态范围GaAs pHEMT MMI C低噪声放大器（LNA），采用4x4 mm SMT封装，工作频率为28至36 GHz。HMC566LP4E提供21dB的小信号增益、2.8dB的噪声系数和24dBm的输出IP
ZX60-83WLV+是一款宽带放大器，采用Mini Circuits自己的基于pHEMT的放大器PHA-83W+，在0.05至8.0 GHz的整个频率范围内提供性能。该设计在55 mA的单个+6 V电源上运行，采用坚固、紧凑的一体式外壳（
TSS-43ULN+是一款基于pHEMT的宽带、超低噪声MMIC放大器，具有高P1dB、高IP3和压控关断能力。该放大器的工作频率为500至4000 MHz，具有典型的0.4 dB噪声系数、19 dB增益、+23.7 dBm P1dB和+3
