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1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件,输入阻抗高,因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流,MOS管的开关速

一文详解MOS管驱动电路拓扑的设计

一、LTC3769EFE 60V、低 IQ、同步升压型控制器概述:LTC3769 是一款高性能、单输出、同步升压型转换器控制器,用于驱动全 N 沟道功率 MOSFET。它所采用的同步整流可提升效率、减少功率损耗并降低散热要求,从而简化了高功

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明佳达电子Mandy 2023-11-06 16:15:53
电源管理(PMIC)LTC3769EFE、LTC3370HUH DC/DC 控制器、稳压器应用图

开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。那么如何解决开关电源的干扰问题呢?接下来,名锦坊小编就针对这个问题来为大家详细介绍下

如何解决开关电源的干扰问题?

半导体三极管中参与导电的有两种极性的载流子,所以也称为双极型三极管。本文将介绍另一种三极管,这种三极管只有一种载流子参与导电,所以也称为单极型三极管,因为这种管子是利用电场效应控制电流的,所以也叫场效应三极管(FET),简称场效应管。场效应管可以分成两大类,一类是结型场效应管(JFET),另一类是绝

很基础的MOS管知识

要比喻的话,三极管像绿皮车,MOS管像高铁。MOS管即场效应管(MOSFET),属于压控型,是一种应用非常广泛的功率型开关元件,在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见,是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分,N沟道相当于NPN的三极管;P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用

MOS管怎么用?从认识米勒效应、开关损耗、参数匹配及选型入手

1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS

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明佳达电子Mandy 2024-01-08 16:35:18
【功率器件】ISZ113N10NM5LFATMA1 100V、11.3mΩ,ISK018NE1LM7AULA1 15V、1.8mΩ N通道功率MOSFET

器件说明:MPQ4431 是一款内部集成了高端和低端功率 MOSFET 的频率可调(350kHz 至 2.5MHz)同步降压开关调节器。它采用电流控制模式,可以提供高达 1A 高效输出电流,具有快速环路响应。3.3V 至 36V 宽输入范围

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明佳达电子Mandy 2024-01-11 16:23:56
采用侧面镀锡封装(36V、1A)MPQ4431GLE-33-AEC1和MPQ4431GLE-5-AEC1低静态电流同步降压变换器

概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器(ADJA和ADJB引脚)实现DESAT(可调滤波器时间)和软关闭(可调电流)的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压,采用节省

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明佳达电子Mandy 2024-01-18 16:35:33
适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,增强型1ED3461MU12M、1ED3461MC12M 单通道隔离栅极驱动器IC

随着新能源市场的爆发,电动汽车,光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后,在近几年可以看到,国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中,推出相关产品。国内规模比较大的有华

推动SiCMOSFET国产化,华秋获“芯塔电子”优秀媒体合作伙伴奖

器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPA

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明佳达电子Mandy 2024-01-22 16:38:08
用于紧凑和高效设计的汽车用NVMYS011N04CTWG、NVMYS4D1N06CLTWG 功率MOSFET【分立器件】