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如何优化微弱电流测试？
概述 许多关键应用要求能够测量到非常小的电流，如 pA量级或更小的电流。这些应用包括测定FET的栅极漏电流，测试灵敏的纳米电子器件，以及测量绝缘器件和电容的漏电流。4200A-SCS参数分析仪配置4200-PA远程前置放大器时，具有最小10aA分辨率的特殊低电流测量能力。小电流的成功测量不仅取决于
高边和低边晶体管开关
为什么存在这两种方式，它们的工作原理，以及何时使用它们？电路中，晶体管常常被用来当做开关使用。晶体管用作开关时有两种不同的接线方式：高边（high side）和低边(low side)。高边和低边是由晶体管在电路中的位置决定的。晶体管可以是双极性晶体管（BJT）或者场效应管（MOSFET）。1. 低
整流电路整流电路是一种把交流电能转换为直流电能的电路。它主要由变压器、整流元件（如二极管或MOSFET）和滤波器等组成。根据电路结构和控制方式的不同，整流电路可以分为半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流、相控整流、斩波整流等多种类型。根据整流器件是主动（受控 MOSFET）还是被动（二极管）的，将
在高频开关电路中，MOSFET的寄生电容直接影响开关速度与功耗。本文提炼电容计算的关键公式与影响因素，为硬件工程师提供精准设计指南。一、基础电容定义输入电容（Ciss）公式：Ciss = Cgs + Cgd作用：决定栅极驱动电流需求，Cis
功率MOSFET管不管是平面结构、TRENCH结构还是SGT结构，内部P阱区与N 源极都会短接，然后一起连接到外部源极管脚，如图1所示。图1 功率MOSFET管内部结构那么，为什么内部P阱区与N 源极要短接在一起？功率MOSFET管内部结构都包含N外延层（漂移区）、P阱基区和N 源极区，这三个区形
引言当今电源设计人员面临着越来越大的压力，需要实现90%、甚至更高的功率转换效率。推动这种发展趋势的因素，包括延长便携式电子器件中的电池续航时间、物联网以及对功耗更低的“更加绿色的”产品的需求。许多设计正在使用GaN或SiC开关器件代替硅FETs和IGBTs。一如既往，产品上市时间压力正不断推动着测
TOP266KG是一款高性能离线式开关电源控制器芯片，属于 TOPSwitch®-JX 系列。该芯片集成了 725V 功率 MOSFET 和 PWM 控制器，支持高达 58W 的输出功率，适用于多种电源拓扑结构，如反激式开关电源。规格输出隔
小模电重难点——场效应管
一节课认识一种器件，这个速度的确让很多同学招架不住，好在我们还可以课后加餐，睡前重温一下内容~~~Field Effect Transistor场效应管(Field Effect Transistor，FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠，不仅具有体积小、重量轻、耗电
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热
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