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PADS添加地符号
在连线状态下单击鼠标右键点击“接地”（或者组合快捷键CTrl+space）,可以添加地符号，如图4-41,4-42所示。切换地符号和切换电源符号的操作一样，按住(CTrl+table)快捷键即可切换。图4-41 选择接地命令图4-42 添加
电源线磁环就是安装在电源线上的磁环，那么，在电源线上安装磁环有什么作用？今天小编给大家讲解一下。我们知道，电磁波会与电子元件发生作用，产生干扰现象，也称之为EMI（EleCTromagnetic Interference）。在我们的生活中，
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
MT7915/MT7975/IPQ6000/IPQ6018/IPQ6010/IPQ4019/IPQ4029/IPQ4018/IPQ4028/IPQ8072/IPQ8072A/IPQ8074/IPQ8074A/IQCN6024/QCN9074
FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高
AR9531 chipset, 1 x 2.4G high power,2 x 2.4G MMCX conneCTors.Support 5M/10M/20M/40M Bandwidth 2 x 10/100Mbps FE PortMT79
什么是可制造性设计？Design for manufaCTurability，即从从设计开始考虑产品的可制造性，提高产品的直通率及可靠性，使得产品更易于制造的同时降低制造成本。可制造性设计是基于并行设计的思想，在产品的设计阶段就综合考虑制造
麒麟电池，第三代CTP技术，麒麟电池系统集成度创全球新高，体积利用率突破72%，能量密度可达255Wh/kg，轻松实现整车1000公里续航。麒麟电池本质还是锂离子电池，主要是结构上的创新，磷酸铁锂和三元锂离子电池均有。麒麟电池在材料上的创新
土耳其伊斯坦布尔 EleCTraIC 总经理兼管理合伙人 Ates Berna 最近在 LinkedIn 上发布了一份总结比较图表，展示了 FPGA 和 ASIC 之间的差异。 虽然这不是一个详细的图表，但我认为它是一个很好的破冰船，当你需要一个相当复杂的高性能、非标准 IC 来解决设计挑战时，它会
