扫码关注
- 全部
- 默认排序
GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect TrANSIstor（
MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TrANSIstor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、
(1) 为啥要用Envelope仿真器在仿真调制信号 射频链路时，载波频率很高，但是调制信号的符号率，相对于载波频率来说，又很小。雷达仿真也是类似的情况，比如多普勒雷达，载波频率和多普勒频率也是相差非常大。如果使用trANSIent仿真器的话，为了仿真出载波，就得设置小的step，但是为了能仿真出调
小模电重难点——场效应管
一节课认识一种器件，这个速度的确让很多同学招架不住，好在我们还可以课后加餐，睡前重温一下内容~~~Field Effect TrANSIstor场效应管(Field Effect TrANSIstor，FET)是一种利用电场效应控制电流的三端放大器件。它是电子领域的新宠，不仅具有体积小、重量轻、耗电
在高频通信、雷达和高功率开关电源等前沿领域，高电子迁移率晶体管（High-Electron-Mobility TrANSIstor， HEMT）凭借其卓越的性能，已成为不可或缺的核心器件。然而，HEMT结构的特殊性使其本身存在着电、热性能间的强烈博弈，制约着器件频率与功率的进一步发展。高功率工况下，
在TrANSIent模式下仿真，仿缝隙天线，集总端口设置没有参考面，不能设置，这要怎么弄?
