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随着业界对增加晶体管密度、增加带宽和降低功耗的需求越来越迫切，许多 IC 设计和封装团队都在深入研究如何增加垂直堆叠多个芯片裸片（die）和小芯片（chiplet）的方案。这种被称为3D-IC 的技术有望实现许多超越传统单裸片在单平面设计的优势。其架构可以将多个同质和异质的裸片/小芯片 Chiple
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简介在生成式人工智能、高性能计算 （HPC） 和数据中心的推动下，人们对计算能力的需求不断增长，这也刺激了对先进 CMOS 工艺和封装技术的需求。为满足这一日益增长的需求，半导体行业正在推动到 2030 年实现万亿晶体管三维集成电路（3DIC）系统级封装（SiP）解决方案。本文将探讨台积电推动采用c
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文章
3D IC生态系统渐成
采用Chiplet的设计方式已是大势所趋，但究竟何时会开始大规模转向这种设计方法，目前仍有待确定。尽管如此，一些与技术和商业相关的最大障碍正在得到解决。虽然基于Chiplet的设计目前对于许多公司来说在经济上仍难以企及，但这种情况已开始发生变化。一个新兴生态系统的初步迹象已经显现。不久前，芯片行业还
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引言半导体行业通过创新集成技术持续发展，特别是在三维集成电路（3DIC）领域。本文介绍基于SOI临时键合技术的突破性方法，该方法实现了亚微米级别的层间厚度和精确对准[1]。1三维集成技术的发展三维集成在半导体制造领域代表着重要的技术进步，为克服传统工艺缩放限制提供了解决方案。目前存在单片三维集成和晶
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