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基于薄膜铌酸锂的集成光子晶体分束器

引言近年来，铌酸锂基器件在集成光子技术领域取得显著进展。特别是薄膜铌酸锂（TFLN）的研发，使得设计更加紧凑和高效的光电子器件成为现实。本文介绍了在薄膜铌酸锂上制作光子晶体分束器的创新方法，为下一代光电子集成芯片提供技术支持[1]。1基本结构与设计原理这种分束器的基本设计理念是在薄膜铌酸锂上制作两种

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光子晶体分束器薄膜铌酸锂

基于薄膜铌酸锂的集成光子晶体分束器

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