将铁氧体磁芯(R=80Ω@300MHz)放置在单极子上,则单极子模型对外的辐射发射将减少?

浏览量:2494
时间: 2024-03-20 16:36:09
如图所示,电压源驱动谐振频率为300MHz的λ/4单极子(辐射发射模型),辐射阻抗为36 Ω。如果将铁氧体磁芯(R=80Ω@300MHz)放置在单极子上,则单极子模型对外的辐射发射将减少▁▁▁▁▁▁▁▁▁?
    1. 3dB
    2. 6dB
    3. 10dB
    4. 20dB

image.png

正确答案:c

如果没有铁氧体,最大电流等于电压除以36 Ω。对于铁氧体,最大电流等于电压除以电阻,电阻为80 + 36 = 116 Ω。辐射发射与电流成正比,因此铁氧体将辐射发射降低20log(80 + 36)/36≈10 dB。
注意:任何明显的源阻抗或天线损耗都会导致铁氧体提供的衰减较小,铁氧体必须位于电流为最大值的点(如下图)。
image.png
此外,如果铁氧体在300 MHz处具有任何明显的电感,则可以移动单极子的谐振频率,从而减少300 MHz处的发射,但在新的谐振频率下增加发射。
虽然铁氧体磁芯可以减少电缆谐振时的辐射发射,但是效益成本比通常较低。夹紧式铁氧体磁芯通常作为最后手段而添加,此时已无法执行其他操作。一般来说,从源头解决问题要有效得多,避免使用共模电压驱动电缆

声明:本网站所收集的部分公开资料来源于互联网,转载的目的在于传递更多信息及用于网络分享,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,也不构成任何其他建议。仅供学习交流使用,不构成商业目的。版权归原作者所有,如果您发现网站上有侵犯您的知识产权的作品,请与我们取得联系,我们会及时删除。侵权投诉
相关推荐HOT
PCB仿真面试:串扰仿真里的NEXT和FEXT怎么看?线间距、并行长度和参考面高度谁影响更大

串扰并不是“线离得近就有”。相邻传输线之间的电容耦合和电感耦合会共同作用,边沿速度、耦合长度、线间距、参考面高度和端接条件都会改变近端串扰(NEXT)与远端串扰... 详情>>

2026-10-20 14:05:17
USB接口电路怎么设计?D+/D-差分、ESD与VBUS保护怎么做?硬件面试

一句话答案USB 设计核心是 D+/D- 等长差分走线、90Ω 差分阻抗、加共模电感和 ESD 保护;VBUS 5V 要做过流保护(自恢复保险丝/电源开关),对... 详情>>

2026-09-16 10:00:38
硬件工程师简历怎么写才能拿到面试?5大模块+避坑指南

分类:硬件工程师面试准备经验级别:基础难度:基础题型:面试准备/简历撰写📖 本文概述硬件工程师的简历不是技能清单的堆砌,而是你能力的浓缩展示。很多人简历投了几... 详情>>

2026-08-08 16:43:59
CPU,MPU,MCU,SOC,SOPC联系与差别?

1.CPU(Central Processing Unit),是⼀台计算机的运算核⼼和控制核⼼。CPU由运算器、控制器和寄存器及实 现它们之间联系的数据、控制及... 详情>>

2023-10-25 09:41:25
FPGA建立时间和保持时间违例怎么优化 - FPGA设计面试题详解

分类:FPGA设计经验级别:2-5年经验难度:中高级题型:技术分析题本文概述:建立时间和保持时间是FPGA时序设计的基础概念,也是面试必考题。核心结论是:建立时... 详情>>

2026-08-18 21:09:04
开班信息