PI 仿真目标是让 PDN(电源分配网络)阻抗在所有频率下低于目标阻抗,方法是选合适容值的去耦电容组合,配合电源平面/地平面的平板电容,使阻抗曲线在目标频带内不超标;仿真是先算目标阻抗、再扫频看曲线。
本文概述
PI(电源完整性)和 SI 并列,面试常考:目标阻抗怎么算、为什么要多个不同容值电容、平板电容是什么、PDN 阻抗曲线怎么看。回答要能现场算目标阻抗,并讲清去耦电容选型逻辑。
核心要点
目标阻抗 Z_target = (纹波允许 × VDD) / 最大瞬态电流,是 PDN 设计的上限
去耦电容多容值并联:大电容供低频、小电容供高频,各自 ESL 决定自谐振频率
每个电容有自谐振频率 FSR,低于 FSR 呈容性、高于 FSR 呈感性,多容值组合拉宽频带
电源平面和地平面相邻形成平板电容,提供最高频(几十 MHz 以上)低阻抗
PI 仿真流程:定目标阻抗→建电容模型→扫频→看曲线是否全频段低于 Z_target

面试官考察点
现场算目标阻抗,再讲电容组合。面试官看你是否真做过 PI 仿真、是否理解自谐振频率,而不是「多放电容就行」。
回答思路
先算 Z_target,再讲多容值电容搭配和平板电容,最后讲仿真验证。
参考回答
先算目标阻抗。
VDD = 1.0V,纹波 ±3% = ±0.03V
ΔV = 0.06V(峰峰),I = 10A
Z_target = ΔV / I = 0.06 / 10 = 6mΩ
意思是:PDN 从 DC 到几百 MHz,阻抗都不能超过 6mΩ,否则芯片动态切换电流时电压会跌出允许纹波。
为什么要多个容值电容。单个电容不是理想电容,它有 ESR 和 ESL(引脚/焊盘寄生电感):
| 电容 | 作用频段 | 原因 |
|---|---|---|
| 电解/钽电容 100μF | DC~几十 kHz | 大容量供低频电荷,但 ESL 大、高频失效 |
| 陶瓷电容 10μF | 几十 kHz~几 MHz | 中等容值,ESL 较小 |
| 陶瓷电容 0.1μF | 几 MHz~几十 MHz | 小容值,自谐振频率高 |
| 陶瓷电容 0.01μF | 几十 MHz~几百 MHz | ESL 极小,供高频 |
| 电源/地平面对 | 几百 MHz 以上 | 平板电容,ESL 最低 |
自谐振频率(FSR)。每个电容在 FSR 之前呈容性、FSR 处阻抗最低、FSR 之后呈感性失效:
FSR = 1 / (2π√(LC)),L 是电容寄生 ESL(约 0.5~2nH)
不同容值电容 FSR 错开,并联后把阻抗曲线在宽频带内压到 Z_target 以下。
仿真流程。
从芯片手册拿 VDD、瞬态电流、允许纹波,算 Z_target;
在 PCB 上把所有去耦电容的位置、容值、ESR/ESL、电源/地平面对建模型;
用 SIwave/PI ADS 等工具扫频,画 PDN 阻抗-频率曲线;
看全频段是否低于 Z_target:低频超标加大电容、高频超标加小电容或优化平面;
芯片电源引脚就近放 0.1μF,过孔短而粗减小 ESL。

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