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之前发了ESD 的仿真模型，应兄弟们的要求，这期来个Surge的仿真吧。 先来第一步，我们如何判断我们的仿真模型是OK的，是符合要求的？显然，这个要想有说服力，那必须查标准。 浪涌标准波形 从标准文件《GB-T 17626.5 《电磁兼容试验和测量技术 冲击(浪涌)抗扰度试验》》查询知道，常规的浪涌
在电子设备设计与制造过程中，电磁兼容性（EMC）问题往往令人头痛，必须要尽快解决，以此降低损失。本文将针对五个常见的EMC问题，提供一些实用的方案。1、辐射发射超标解决方案检查设备外壳屏蔽性能，必要时加强屏蔽。拔掉不必要的电线和电源插头，判
之前发了ESD 的仿真模型，应兄弟们的要求，这期来个Surge的仿真吧。 先来第一步，我们如何判断我们的仿真模型是OK的，是符合要求的？显然，这个要想有说服力，那必须查标准。 浪涌标准波形 从标准文件《GB-T 17626.5 《电磁兼容试验和测量技术 冲击(浪涌)抗扰度试验》》查询知道，常规的浪涌
浪涌是指电力系统中出现的瞬时过电压现象，一般会对电子设备造成损害，为有效应对浪涌威胁，浪涌防护方法问世，不过该方法很多，如何选？1、并联型电涌保护器方法：并联于供电线路上，利用压敏电阻在过电压时呈低阻状态，限制过电压幅值。适用场景：适用于照
雷击浪涌，防护有妙招
1、电子设备雷击浪涌抗扰度试验标准电子设备雷击浪涌抗扰度试验的国家标准为GB/T17626.5（等同于国际标准IEC61000-4-5 ）。标准主要是模拟间接雷击产生的各种情况： （1）雷电击中外部线路，有大量电流流入外部线路或接地电阻，因而产生的干扰电压。 （2）间接雷击（如云层间或云层内的雷
Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF
随着时代发展，USB 3.0接口面临的安全威胁越来越大，如ESD冲击、电源浪涌、信号串扰等，传统的保护电路已经难以应对5Gbps高速信号，是时候采取措施提升电路防护能力，那么从哪方面出手？本文将提供一个实例，从器件级到PCB级，解剖五层防护
案例分析： 某显示器因电源纹波不良导致画面噪点。优化建议：选择低纹波输出的电源。优化滤波电路，提升设备抗纹波能力。4尖峰与浪涌电压或电流的尖峰与浪涌会损坏设备或引发故障。优化建议：在电源设计中增加尖峰浪涌保护电路。对大功率设备采用软启动设计，逐步调整电路参数以降低冲击电流。5启动电流与冲击电流电机等
在电子设备研发流程中，电磁兼容（EMC）测试是验证产品稳定性的关节环节，不同于常规功能测试，EMC测试的环境更加复杂，其中工程师需要重点关注静电、电快速瞬变脉冲群、雷击浪涌。1、静电抗扰度检测：高压瞬变的隐形攻击静电放电以接触放电与空气放电
光耦隔离模块电路
还不少钱呢输入高电平触发还是低电平触发可配置PNP型输出高电平=供电电压经过分析电路如下当需要高电平触发时IN1接信号，SS接GNDIN输入高电平时，光耦放光二极管导通，光耦输出拉低PNP型三极管导通，输出OUT拉高至电源但是过流，过压，反接，防雷击浪涌这些我是真没看到另外，有个疑问：这个R5干什么
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