- 全部
- 默认排序
MOS管有很多种,通常的模电教材里都会至少分为PMOS/NMOS、增强型/耗尽型,因为一般情况下,实际工程中能见到的基本上都是增强型。所以下文中就不特殊说明了,都是指的增强型。1)MOS管的识别首先,MOS管的电路符号如图:MOS管的符号三个极中,中间的是栅极G,箭头指向栅极的是NMOS,箭头背向栅
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
1、DRV8353RHRGZR三相智能栅极驱动器48VQFNDRV835x 系列器件均为高度集成的栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机 应用标准。这些 应用 包括 BLDC 电机的场定向控制 (FOC)、正弦电流控制和梯形电流
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低;而且,通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构,可以实现最佳的沟道迁移率,明显降低导通电阻,因此,新一代SiC
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置:低端通道类型:单路驱动器数:1栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET电压 - 供电:10V ~ 32V逻辑电压 - VIL,VIH:1.2V,2.2V电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有,EEPROM,NOR FLASH, NAND FLASH,EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM))。该MOSFE
1、AFE20408RHBT 是一款高度集成的功率放大器(PA)监控和控制器件,能够监控温度、电流和电压。AFE20408偏置控制器基于约8个具有可编程输出范围的数模转换器(DAC)。八个栅极偏置输出通过专用控制引脚开启和关闭。栅极偏置开关
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
H桥的上管导通后,驱动芯片的自举电容升为24V,紧接着电容要放电,会不会放电至12V,栅极和源极电压几乎一样,导致上管又关断了?