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NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
贴片三极管封装
因为最近拆东西，里面的有些贴片元件我看不懂，然后去恶补了一下知识，这里就再补补。SOT-223这个图基本上就很全面了搭配这个一起看还有这个无论是PNP还是NPN，1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，3脚为
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用
罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
1、MOS管简介功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率MOS管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，MOS管的开关速
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