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晶体管和芯片是电子设备中的两个关键组件，晶体管的数量决定着芯片的功能及数据传输，可以说，某种程度上，芯片内嵌的晶体管越多，数据传输速度越快，因此随着时代发展，现在的芯片基本上都是在亿级别以上。近日，美国IBM公司宣布推出了一款类脑芯片“北极
在现代电子设备中，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是一种常见的元件，具有很多优秀的特性，如高阻抗、低噪声、易于驱动等，但在设计过程中，会发现MOS管刚通电就被烧毁，这是怎么回事？首先，MOS管在刚通电的瞬间就可能被烧毁。这种问题可能
随着芯片制程工艺的提升，由于晶体管密度限制和工艺提升难度，三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术，从台积电手中抢走过不少订单，如高通骁龙888和骁龙8 Gen等，但在3nm GAA工艺上，三星似乎遇到了不少麻烦，至今仍未量产，而
1、基本名词 常见的基本拓扑结构 ■Buck降压 ■Boost升压 ■Buck-Boost降压-升压 ■Flyback反激 ■Forward正激 ■Two-Transistor Forward双晶体管正激 ■Push-Pull推挽 ■Half B
晶体管是电子学中常用的半导体器件，它广泛应用于放大电路、振荡电路、数字电路和开关电路等领域。在实际使用中，晶体管可能会出现故障，需要进行鉴别诊断。本文将介绍晶体管的鉴别诊断方法。一、静态测试静态测试是最常用的鉴别诊断方法之一，它可以检测晶体
随着时代高速发展，电源因为能给其他设备提供动力，开始成为半导体行业的重要组成部分，开关电源的种类大致上可归类为正激式和反激式，下面我们来看看它们有什么区别？一般来说，开关电源的作用是通过开关器件（通常是晶体管或MOSFET）控制电能的电源，
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
1、IKD10N60RFATMA1 600V RC快速驱动是用于敏感的消费类驱动市场的高性价比解决方案。这种基本技术为永磁同步和无刷直流电机驱动器提供出色的性能。该器件具有出色的温度稳定性，可节省高达60%的PCB空间。详细描述：IGBT
1200V HighSpeed3 H3 IGBT系列是硬开关和软开关拓扑结构的理想选择。该系列为开关损耗树立了新标杆，推荐用于开关频率为20 kHz以上的拓扑。超短尾电流和低关断损耗（比最接近的竞争对手低25%）是该系列的主要特性，将该系列
在电子电路中，NPN和PNP晶体管是两种常见的双极型（BJT）晶体管，虽然名字过于类似，但在电路中的使用和特性有很大的不同，下面我们来看看如何区分NPN和PNP晶体管，希望对小伙伴们有所帮助。1、构造与极性NPN晶体管： NPN晶体管有三个
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