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简介微波光子学（MWP）是一个将射频（RF）工程与光子技术相结合的跨学科领域。它利用光学器件和技术实现微波和毫米波信号的产生、处理、控制和分配。集成微波光子学（IMWP）更进一步，将MWP组件和子系统整合到紧凑的光子集成电路中。与传统射频系统相比，IMWP具有以下几个关键优势：低损耗，与频率无关超宽
整流电路的谐波和功率因数
整流电路的谐波和功率因数谐波和无功是电力电子应用中不能忽视的问题：无功的危害：导致设备容量增加；使得系统的损耗增加；线路压降增大，冲击性负载使电压剧烈波动。谐波的危害：降低发电、输电和用电设备的效率；影响用电设备的正常工作；引起电网局部谐振，使谐波放大，加剧危害；导致继电保护和自动装置误动作；对通信
IGBT开通过程分析
IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。01前言一开始我们简单
（1）天线的增益在说这两个公式之前，先说说天线的增益。输入到天线的功率Pin和天线辐射出去的功率Prad之间，会存在一个损耗。这两个功率之间的比值，称之为辐射效率[1]。天线的定向性是在远场区的某一球面上最大辐射功率密度与球面上的平均功率密度之比[1]。天线增益定义为定向性D与辐射效率的乘积，即：所
EIS（等效全向灵敏度）的全称是Effective Isotropic Sensitivity，用于描述信号接收系统的实际接收性能。为什么不直接用接收机的接收灵敏度，而要引入EIS呢？下面我们以一个实际的信号收发系统模型为例来解释。信号从发射机出来，经过射频线缆会经历损耗，到达发射天线会把信号定向集
上期文章“MOS管损耗理论计算公式推导及LTspice仿真验证”我们理论计算了MOS管的开关损耗。这期来说明一个问题：为什么我们很多时候要求MOS管快速关断，而没有要求MOS管快速开通？下面是常见的MOS管的驱动电路MOS管快关的原理还是先简单介绍下快关的原理：我们知道，MOS管开通和关断的过程，就
1、D类放大器的热损耗分析D类放大器虽然效率高达85-95%，但剩余5-15%的能量仍会转化为热量，主要来自：MOSFET开关损耗（占60%以上）导通损耗：RDS(on) × I2开关损耗：(trise + tfall) × fsw × V
CMOS谐振振荡器简介
引言谐振振荡器是模拟电子技术中少数仍然保持重要地位的领域之一。这些线路能够从恒定电源产生时变周期信号。虽然产生基本振荡相对简单，但在现代设计约束下实现高质量振荡具有显著挑战性。这些约束包括低电源电压、有限功耗、宽频率调谐范围以及与数字CMOS工艺的兼容性[1]。图1：损耗LC谐振器及其等效并联模型，
电容器在电路中起着至关重要的作用，尤其是在放大器中。它们可用于耦合、去耦和滤波等功能，但电容器的损耗特性直接影响放大器的性能。一、电容器的损耗特性1. 损耗因子（DF）电容器的损耗通常通过损耗因子来描述。损耗因子是电容器的实际功耗与理想功耗
绝缘材料，又称电介质，是一种能够阻止电流通过的材料，其电阻率极高。它们在电场作用下能发生极化、储能、介质损耗和击穿等现象，但本身并不导电。绝缘材料广泛应用于电气设备中，用于隔离带电部件，防止电流泄漏，确保设备的安全运行。常见的绝缘材料类型有
