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IGBT开通过程分析
IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。01前言一开始我们简单
（1）天线的增益在说这两个公式之前，先说说天线的增益。输入到天线的功率Pin和天线辐射出去的功率Prad之间，会存在一个损耗。这两个功率之间的比值，称之为辐射效率[1]。天线的定向性是在远场区的某一球面上最大辐射功率密度与球面上的平均功率密度之比[1]。天线增益定义为定向性D与辐射效率的乘积，即：所
EIS（等效全向灵敏度）的全称是Effective Isotropic Sensitivity，用于描述信号接收系统的实际接收性能。为什么不直接用接收机的接收灵敏度，而要引入EIS呢？下面我们以一个实际的信号收发系统模型为例来解释。信号从发射机出来，经过射频线缆会经历损耗，到达发射天线会把信号定向集
上期文章“MOS管损耗理论计算公式推导及LTspice仿真验证”我们理论计算了MOS管的开关损耗。这期来说明一个问题：为什么我们很多时候要求MOS管快速关断，而没有要求MOS管快速开通？下面是常见的MOS管的驱动电路MOS管快关的原理还是先简单介绍下快关的原理：我们知道，MOS管开通和关断的过程，就
1、D类放大器的热损耗分析D类放大器虽然效率高达85-95%，但剩余5-15%的能量仍会转化为热量，主要来自：MOSFET开关损耗（占60%以上）导通损耗：RDS(on) × I2开关损耗：(trise + tfall) × fsw × V
CMOS谐振振荡器简介
引言谐振振荡器是模拟电子技术中少数仍然保持重要地位的领域之一。这些线路能够从恒定电源产生时变周期信号。虽然产生基本振荡相对简单，但在现代设计约束下实现高质量振荡具有显著挑战性。这些约束包括低电源电压、有限功耗、宽频率调谐范围以及与数字CMOS工艺的兼容性[1]。图1：损耗LC谐振器及其等效并联模型，
电容器在电路中起着至关重要的作用，尤其是在放大器中。它们可用于耦合、去耦和滤波等功能，但电容器的损耗特性直接影响放大器的性能。一、电容器的损耗特性1. 损耗因子（DF）电容器的损耗通常通过损耗因子来描述。损耗因子是电容器的实际功耗与理想功耗
绝缘材料，又称电介质，是一种能够阻止电流通过的材料，其电阻率极高。它们在电场作用下能发生极化、储能、介质损耗和击穿等现象，但本身并不导电。绝缘材料广泛应用于电气设备中，用于隔离带电部件，防止电流泄漏，确保设备的安全运行。常见的绝缘材料类型有
随着宽禁带半导体这几年的发展，在越来越多的应用领域可以看到他们的身影，混迹风光储的我最近也开始遇到过一些case，一些认知可以用从小熟知的一句话来概括，“纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行！”今天想跟大家聊一聊关于碳化硅双脉冲测试中遇到的串扰问题。碳化硅具有更快的切换速度（更短的切换时间），较低的损耗，
核心要点受控阻抗布线通过匹配走线阻抗来防止信号失真，从而保持信号完整性。高速PCB设计中，元件与走线的阻抗匹配至关重要。PCB材料的选择（如低损耗层压板）对减少信号衰减起关键作用。受控阻抗布线如何保障信号完整性为实现电路信号完整性，需遵循以下设计规范：避免直角走线、隔离时钟信号与电源信号、保持元件间
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