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引言光通信技术正快速发展以满足不断增长的带宽需求，特别是在数据中心应用中。本文探讨强度调制直接检测（IM-DD）系统的最新发展，重点介绍实现超过200Gbps每通道传输速率所需的调制格式和数字信号处理（DSP）技术[1]。1系统架构与带宽限制现代IM-DD系统在向更高数据速率发展过程中面临多个挑战。
BUCK变换器峰值电流模式的反馈补偿元件为Rc、Cc和Cp，在反馈设计时计算Rc，电源芯片IC的数据表中，经常看到下面的公式：其中，Co：输出电容fc：穿越频率，也就是系统的带宽Gm：电压误差放大器的跨导Gcs：功率级的检测电流跨导Vo：输出电压VFB：电压误差放大器的参考电压 图1：峰值电流模式的
观测微小信号的关键在于最大化信噪比。通过优化以下核心参数，可将频谱仪灵敏度推向极限。1、核心参数设置减小分辨带宽（RBW）：将RBW设为最低值（如1 Hz），直接降低本底噪声。降低视频带宽（VBW）：设置VBW ≤ RBW，有效平滑噪声波动
最近不是买了ADAQ7768-1了吗？我就算这个东西的极限性能怎么样，当然是在考虑到各种噪音的情况下。先看一个考虑PSRR的情况：可以看到在这个带宽上来以后，ENOB损失的非常厉害,后面有些情况是完全不需要考虑使用高位的ADC的。即使我不考虑PSRR就纯电源噪音的情况情况下也是不太好看的数据。1.
光电共封装技术与现有挑战随着加速计算需求的持续增长，现代数据中心和高性能计算系统中的大规模数据传输正在成为关键瓶颈。为了实现数据传输需求，电气互连的总吞吐量快速增长。基于硅基光电子技术的光电共封装(CPO)技术已经成为解决带宽密度和能源效率挑战的重要方案[1]。图1：NVLink在五代GPU中部署的
先进光电共封装引擎
引言人工智能和机器学习应用的指数级增长已经对数据中心的高带宽、低延迟光学连接产生了巨大需求。传统的光学互连解决方案，如可插拔光学模块，在满足现代超大规模计算环境日益增长的数据速率要求方面已经达到极限。这一挑战推动了先进硅基光电子封装技术的发展，使光电共封装系统能够支持下一代AI/ML集群和高性能计算
通用放大器芯片广泛应用于信号放大、滤波、信号处理等领域。合理选型通用放大器芯片，能有效提升系统性能、降低成本并增强稳定性。一、了解通用放大器芯片的基本参数选型前，首先需明确通用放大器芯片的核心参数，包含但不限于：带宽：指放大器在保持一定增益
本文介绍什么是高带宽内存（HBM），高带宽内存的简短发展历程，为何它目前如此重要，大型语言模型（LLMs）和生成式人工智能是如何推动对高带宽内存技术的需求的，高带宽内存与其他常见内存类型（双倍数据速率同步动态随机存取存储器（DDR）、低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器（LPDDR）和图形双倍数
ADGM1304 是一款宽带单刀四掷 (SP4T) 开关，使用 ADI 公司的微机电系统 (MEMS) 开关技术制造。该技术可实现小尺寸、宽 RF 带宽、高度线性、低插入损耗、工作频率范围为 0 Hz/直流至 14 GHz 的开关，从而使
碳化硅二极管（SiC二极管）作为现代电力电子领域的重要器件，因其优异的性能在高温、高频和高压应用中表现出色。什么是碳化硅二极管？碳化硅二极管是用碳化硅材料制成的半导体器件。与传统的硅二极管相比，碳化硅材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电压和
