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答：过孔的两个寄生参数是寄生电容和寄生电感。过孔本身存在着对地的寄生电容，如果已知过孔在铺地层上的隔离孔直径为D2,过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介电常数为ε,则过孔的寄生电容大小近似可以用以下公式来计算：C=1.41εTD1/(D2-D1)。过孔的寄生电容会给电路造成的主要影响是延长了信号的上升时间，降低了电路的速度。比如说，对于一块厚度为50Mil的PCB板，如果使用内径为10Mil，焊盘直径为20Mil的过孔，焊盘与地铺铜区的距离为32Mil,则我们可以通过上面的公式近似
利用场管内部的寄生二极管的单向导通特性对场管的好坏进行判断。第一步 将三个脚进行短接放电这样做的目的对场管内部的寄生电容进行放电，防止有压差，使它内部产生导通，使得测量有误。第二步 测量内部二极管万用表打到二极管档，然后用两个表笔对这个 M
走线过孔与元器件通孔在内层的焊盘具有寄生电容的效应，易造成阻抗不连续，导致信号反射，从而影响信号完整性，allegro提供简单快捷的误判设计功能，可在设计端就将无走线连接层的焊盘去除，最大限度地保证过孔或通孔处与走线阻抗一致。
模块化电路设计有两方面的含义,其一是指电路设计功率器件的模块化,其二是指电源单元的模块化。我们常见的元器件器件模块,含有一单元、两单元、六单元直至七元,包括开关器件和与之反并联的续流二极管,实质上都属于“标准”功率模块(SPM)。近年,有些公司把开关器件的驱动保护电路也装到功率模块中去,构成了“智能化”功率模块(IPM),不但缩小了整机的体积,更方便了整机的电路设计制造。实际上,由于频率的不断提高,致使引线寄生电感、寄生电容的影响愈加严重,对器件造成更大的电应力(表现为过电压、过电流毛刺)。为了
问：一般接口ESD处理方式都是，ESD防护器件一端接电源或信号，另一端接GND或PGND。产品在接地时还好理解，ESD器件将干扰导入到大地；当产品不接地时，ESD器件将干扰导入到GND，虽然GND平面与大地之间有寄生电容可以泄防一部分ESD
前几天写的关于示波器的文章，提到了探头上面的寄生电容，两个导体并排放置，天然就是一个电容。忽然想到，现如今HDMI 线里面的信号速率到上Ghz，HDMI线也做到了十几米，这么长，等效电容肯定不小啊？这怎么能传呢？信号不都被寄生电容滤波滤没了么?虽说这个时候也能用均匀传输线理论，集总参数模型，分布参数
USB接口的EMC设计
在提到干扰对USB的影响时，差分数据传输与简单的同轴电缆相比具有很大的优势。在感性干扰效应(磁场)情况下，导线的绞合可以弥补干扰效应。●USB控制器的输入/输出不是完全对称的，因此USB信号显示出共模干扰。●Layout与HF/EMC不兼容，寄生电容和缺少波阻匹配会产生共模干扰。●电路设计(USB滤
在高频电路设计中，寄生电容的存在是很重要的，它是指在电路中不期望存在的电容，通常是由电路元件之间的绝缘层、导线、接头等产生，它的存在会导致电路的频率响应、增益和相位等特征发生变化，甚至无法正常工作，所以降低RF电容的寄生电容是很有必要的。1
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC
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