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随着新能源汽车的快速发展与普及，汽车用逆变器和电机控制系统对高性能电子器件的需求不断提升。其中，绝缘门极晶体管（IGBT）作为功率电子的核心器件，在电动车驱动系统中扮演着关键角色。为了满足汽车行业严格的性能和可靠性要求，汽车级IGBT模块被
IGBT是变频器中非常重要的功率器件，这段时间给大家推送了多篇变频器拆解，设计的文章，而功率器件的好坏是检测中非常重要的一环，那么如何用万用表检测呢，我们以英飞凌的FP15R12KT3为例来说明，这也是上篇文章中博世小功率变频器中使用的一颗功率模块，接线图如下对照数据手册的接线图可以很好的识别管脚，
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热
在新能源、电动汽车、光伏逆变器等行业快速崛起的今天，大功率 PCB Layout 设计已成为驱动产业创新的核心能力。兆易创新作为行业领先的半导体设计公司，始终致力于以卓越的芯片产品赋能产业升级，此次与凡亿教育深度合作，推出 “大功率 PCB
当系统中处理大功率射频信号时，开关必须具备优异的抗功率能力，否则会导致器件损坏、信号失真甚至系统故障。为保障系统的稳定性和可靠性，采取有效措施降低大功率射频信号对开关的影响显得尤为关键。大功率射频信号对开关的影响高功率信号会带来以下几方面的
MOSFET的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有三个工作区：截止区、线性区和完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区；完全导通区也称可变电阻区。图1：MOSFET的漏极导通特性通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损
智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。表1：功率MOSFET参数
中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工程师，都有不同的解释，下面逐一分析说明。图1：PFC电路 1、减少
BUCK变换器峰值电流模式的反馈补偿元件为Rc、Cc和Cp，在反馈设计时计算Rc，电源芯片IC的数据表中，经常看到下面的公式：其中，Co：输出电容fc：穿越频率，也就是系统的带宽Gm：电压误差放大器的跨导Gcs：功率级的检测电流跨导Vo：输出电压VFB：电压误差放大器的参考电压 图1：峰值电流模式的
