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整流电路的谐波和功率因数
整流电路的谐波和功率因数谐波和无功是电力电子应用中不能忽视的问题：无功的危害：导致设备容量增加；使得系统的损耗增加；线路压降增大，冲击性负载使电压剧烈波动。谐波的危害：降低发电、输电和用电设备的效率；影响用电设备的正常工作；引起电网局部谐振，使谐波放大，加剧危害；导致继电保护和自动装置误动作；对通信
我们如果要设计一个开关电源，首先要有思路，以下为我之前设计的思路，希望能对感兴趣的朋友有所帮助。 我们设计电源，首先要明白设计的目的，主要包括电源的功率，输出电压电流，输出组数，电源效率等，有了这些参数，我们就可以根据电源的功率大小选择适合的拓扑结构，比如如果功率在10W以下，比如我们早期的充
功率MOSFET基础
本文内容较长，希望了解MOSFET基本参数工程师，需要花一些时间和耐心。功率MOSFET基础内容表 1.基本器件结构2.击穿电压3.导通状态特性4.电容5.栅极电荷6.栅极电阻7.导通和关断8.体二极管正向电压9.体二极管反向恢复10.雪崩能力和额定11.dV/dt额定12.热阻特性13.功率耗散1
SiC | 器件特点
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点~01功率器件要求功率半导体器件作为功率变换系统的核心器件，目前应用最多的仍旧是IGBT，在很多时候还需要搭配合适的反向并联二极管。任何情况下，功率器件都是在"导通"和"截止"两个状态之间切换，类似于集成电路中的逻辑器件，通过切换来达到电力转换的需求，切换频率一般在1k
功率模块开篇
半导体国产化的进程想必今年会有很大的进展，越来越多的应用也会更多地倾向于国产化。接下来的一段时间，我们来聊聊半导体功率模块那些事儿，一个不管何种半导体材料(传统Si，新兴SiC等第三代)都需要考虑的那些事儿。今天我们先来从传统的功率模块基本结构分层图来说说其构成：可见，我们前面聊的很多的半导体芯片，
功率模块Ⅰ—— 绝缘衬底
昨天我们开篇了功率模块，从功率模块的基本分层结构了解了除了半导体芯片之外的几大配置，今天我们来聊聊其中的绝缘衬底，一般会被叫作陶瓷基板，因为这种材料使用的最多，当然还有其他一些适合作为绝缘衬底的材料......绝缘衬底主要是作为半导体芯片的底座，同时会在绝缘衬底上沉积导电材料、绝缘材料和阻性材料，还
上篇我们聊了关于功率模块绝缘衬底的几款主流材料，其中提到了在绝缘衬底上进行金属化的技术。今天我们就来聊聊绝缘衬底金属化技术......几种常用的金属化技术：❖薄膜❖厚膜❖电镀铜❖直接敷铜❖活化钎焊覆铜❖硬钎焊敷铜绝缘衬底表面金属化要求：热特性：高热导率（＞200W/K·m）与绝缘衬底的热膨胀系数相匹
今天我们来聊一聊“为什么功率模块内部有门极电阻？”，这个我们在进行门极驱动设计时经常会被提醒不要忽略的参数。01前言模块内部电阻Rg,int被提及最多的地方，便是在设计门极驱动时，要求我们不要忽略这个参数。那为什么需要在模块内部增加门极电阻呢？我们经常谈及的便是，为了实现模块内部多芯片之间的均流。确
我们用了二个篇幅去讨论功率MOSFET的漏极脉冲电流以及和短路保护相关的测量规范，那么，在实际的应用中，这些规范是否能够完全解决短路保护的问题呢？今天，我们讨论有关这个技术指标的4个实际的细节，希望能够给大家提供一些参考。 1 短路保护并联均流电动汽车和电动自行车控制器目前大量地使用中压的功率MO
整流桥并联用于突破单桥极限，但并非所有场景都适用。以下场景若忽略并联设计，轻则效率腰斩，重则炸机烧板。1、单桥电流超限的功率设备大功率开关电源、工业电焊机、电磁炉核心矛盾：单桥峰值电流超过器件标称值（如标称25A，实测需求40A）长期过流导
