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电源篇-开关电源工作原理
1.开关电源的定义输入交流电压（AC）经由整流滤波以后可获得一高压的直流电压（DC=1.4AC），此电压接入交换元件当做开关使用在20KHZ~100KHZ的高频状态。这时直流高压会被切割成高频的方波信号，这个方波信号经由功率隔离变压器，在二次侧可以获得事先所设定的电压值，然后再经由整流与滤波就可以获
一文读懂晶闸管工作原理
1、晶闸管（SCR）晶体闸流管简称晶闸管，也称为可控硅整流元件（SCR），是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上，晶闸管不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性，它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在
推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时
之前讲了电源的一次侧变压器的选型、磁芯选择及绕线方法，今天来说一下二次侧的设计。 首先选择好变压器后，我们就要选择功率半导体器件了，因为Vdss>Vin>382V，所以我们一般取常用的500V耐压，Id>Iin>2.75A，我们就取大于4A的器件，我个人采用的是IRF730器件。
MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
半桥式开关电源
我们之前介绍了反激式开关电源和正激式开关电源的一些知识，接下来我们来说一下半桥式开关电源。 半桥式开关电源的主要特征是有两个功率开关器件，我们一般采用MOS管，这两个功率器件以图腾柱的形式连接，然后以功率器件连接的中心点作为输出，向后级电路提供方波信号，下图为简易的半桥式开关电源结构图：
本文要点超大规模集成电路 (Very large scale integration，VLSI) 是一种主流的集成电路 (IC) 设计模式。芯片尺寸微型化有助于降低单个晶体管的功耗，但同时也提高了功率密度。先进封装的低功耗设计趋势势头未减，而更新的技术有助于在不牺牲计算性能的情况下降低器件的功耗。如
PFC功率因素校正电路
我们从事过电源事业的应该都听说过功率因素校正，也就是PFC，首先我们可以将PFC进行拆分，分为PF和C；PF代表功率因素，主要的作用就是描述我们电源对电网的使用率，用比较贴近生活的语言来解释就是我们日常中电的利用率，比如一台家用电器，它的电源PF值为0.9的话，那么这个电源可以利用电
在电子工程的世界里，大功率PCB工程师就像是隐藏在幕后的超级英雄，他们用电路板作为画布，以电子元件为颜料，绘制出驱动现代科技的强大心脏。然而，当企业试图寻找这样的英雄时，他们常常发现市场上似乎缺少这样的人才。那么，找到一个精通大功率PCB设
在数字系统中，PCB 的电源分配网络 (power delivery network，即 PDN) 需要在较宽的频率范围内具有较低的阻抗值，以确保在数字器件运行时，电压波动能保持在较低水平。决定 PDN 阻抗的因素有很多，不单单是数字处理器中用于稳定功率输出的电容器。在工作频率达到 GHz 级别的先
