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前面说了非隔离式电源,相对于非隔离式电源的,我们遇到更多的应该是要求输出与输入进行电气隔离的隔离式电源,隔离式电源一般是采用变压器进行隔离,因此也称这类转换器为变压器耦合型转换器。隔离式转换器工作原理简单概述就是:输入电路把交流电整流滤波变成直流电,通过功率开关管周期性通断、控制变压器一次绕组的能量

隔离式DC-DC转换器

根据电源的效率公式:效率=(输出功率Po/输入功率Pi)*100从公式上我们可以知道要提高效率只有两种方法,要么在输入功率不变的前提下提高输出功率;要么在输出功率不变的前提下降低输入功率;其实我们还有一种方法,那就是找到效率降低的原因,然后消除效率降低的原因,那我们的效率自然而然就提高了,

开关电源效率改善

昨天我们说了反激、正激、推挽式这三类开关电源的拓扑结构,那我们接下来把半桥和全桥式的开关电源拓扑结构也简单的讲一下。 半桥式开关电源线路图如下所示: 半桥式开关电源输出功率很大,工作效率很高,半桥式开关电源与推挽式开关电源一样,

半桥式与全桥式拓扑结构

下图为华为手机充电器内部线路图: 上图是一款早期华为充电器的一款,输出电压为5V,输出最大电流为2A,因为是小功率的电源,所以采用的是单管反激式开关电源的架构。 虽然我们日常看到的充电器体积很小,但是其内部结构却很完整,我们可以看到线路左上端是电源的输入部

华为手机充电器线路

在开关电源中,如果我们把整个电源比作人体的话,那么MOS管就相当于我们的大脑,相对于大脑对我们人体的控制,MOS管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于MOS管,有很多的参数,比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等,我们之前也说了很多关于MOS管该

MOS管耐压值对产品性能的影响

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗,这些损耗可以分为两类: 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过:MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时,一定量的电荷就会发生转移;需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化,变化

MOS功率损耗

在电子产品设计与制造中,印刷电路板(PCB)作为核心部件,其温度控制尤为重要,局部温度过高不仅会影响电子元件的性能和寿命,还可能会引发故障甚至设备损坏,所以必须及时解决PCB温度过高的问题。1、优化元件布局将发热量大的元件如功率晶体管、大规

PCB板局部温度过高如何解决?

在电子电路中,米勒效应是很常见的现象,尤其是在高频电路和功率转换电路中。它描述了电路中某些元件之间的寄生电容对信号传输和放大的影响,从而导致信号失真、放大倍数降低及系统性能下降等问题,本文将阐述米勒效应,希望对小伙伴们有所帮助。1、米勒效应

米勒效应是什么?对不同电路有什么影响?

在电子电路设计中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)基本上是串联状态,但有时候可能会并联,这是为了提高电路的电流承载能力或增加功率输出,但也带来许多问题,其中之一是是否需要对称?首先针对这个问题,答案是“是的”!MOS管并联时,其走线

MOS管并联,走线必须要对称吗?

一、直流潮流计算原理直流潮流的特点是用电力系统的交流潮流(有功功率和无功功率)等值的直流电流来代替。甚至只用直流电路的解析法来分析电力系统的有功潮流,而不考虑无功分布对有功的影响。这样一来计算速度加快,但计算的准确度有所降低,本方法适用于对潮流计算准确度要求不高的计算场景。下面先对直流潮流法的原理进

直流潮流计算matlab程序