找到 “功率” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPA

1552 0 0
明佳达电子Mandy 2024-01-22 16:38:08
用于紧凑和高效设计的汽车用NVMYS011N04CTWG、NVMYS4D1N06CLTWG 功率MOSFET【分立器件】

LLC环路设计参考杨波的博士论文《LLC resonant converter》第6章Small signal analysis of LLC resonant converter。功率级波特图在高于谐振频率时:低于谐振频率时:文章指出,LLC低于谐振频率的小信号特性非常稳定,在该区域有两个极点,因

LLC环路计算与仿真分析——K因子法

上期通过K因子法介绍了LLC仿真如何实现快速闭环,以及相位提升计算与传递函数的详细推导过程及分析,详见《LLC环路计算与仿真分析——K因子法》。但是使用该方法是有很多局限性的,如果需要自己放置零极点,该如何像K因子一样根据功率级波特图计算出想要的穿越频率和相位裕度呢?下面通过运放 光耦的反馈补偿一一

LLC环路计算与仿真分析——手动放置零极点计算(运放 光耦)

一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM))。该MOSFE

1418 0 0
明佳达电子Mandy 2024-01-26 17:31:32
【MOSFET】单 N 沟道,NTTFS6H860NLTAG、NTTFS005N04CTAG 8WDFN 分立器件

1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的

2210 0 0
明佳达电子Mandy 2024-01-29 17:02:43
【分立器件】SCTH100N65G2-7AG、SCT060HU75G3AG汽车级碳化硅功率MOSFET,符合AEC-Q101标准

什么是PWM脉冲宽度调制(PWM),是英文“Pulse Width Modulation”的缩写,简称脉宽调制,是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。pwm的频率:是指1秒钟内信号从高电平到低电平再回到高电平的次数(一个

3415 0 0
一文带你了解PWM原理、频率与占空比

HL型栅极驱动器(High Level Gate Driver)是一种用于驱动功率半导体器件(如MOSFET和IGBT)的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流,以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

HL型栅极驱动器是什么?能干什么?

DML激光器(Distributed Feedback Laser Diode)是一种基于分布反馈结构的半导体激光器,具有较小的尺寸、高功率、高效率和稳定性等优点,广泛应用于通信、医疗、测量和传感等领域。DML激光器组成DML激光器由多个部

DML激光器:从原理到应用的全方位解析

LLC谐振变换器作为一种高效率、高功率密度和低电磁干扰的电力电子变换器,具有广阔的应用前景。01LLC谐振变换器组成LLC谐振变换器由三个主要部分组成:SN7406DR输入滤波器、变换器和输出滤波器。1、输入滤波器:用于将输入的交流电源的脉

走进电子元器件,了解LLC谐振变换器

在电子设计中,印刷电路板(PCB)设计是至关重要的一环,它涉及多方面的考量,包括电器性能、热性能、机械强度等,为了确保电路的稳定性及可靠性,3W原则、20H原则及五五规则是必不可少的,下面将谈谈这些规则。1、3W原则:功率与散热的权衡3W原

PCB设计:3W原则、20H原则和五五规则