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mos管有很多种，通常的模电教材里都会至少分为PMOS/NMOS、增强型/耗尽型，因为一般情况下，实际工程中能见到的基本上都是增强型。所以下文中就不特殊说明了，都是指的增强型。1）mos管的识别首先，mos管的电路符号如图：mos管的符号三个极中，中间的是栅极G，箭头指向栅极的是NMOS，箭头背向栅
在电子电路中，mos管驱动电路是很重要的，将直接关系到mos管的开关速度和效率，本文将列出四个常见的mos管栅极驱动电路，并附出四个电路图，希望对小伙伴们有所帮助。1、IC直接驱动型这种电路通过电源IC直接提供驱动信号给mos管的栅极。其结
如图，为什么在Vce下降前ic就开始上升了呢？这里就用MOSFET代替BJT了,所以ids= ic , Vds=Vce , Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当mos管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压 ,随着Ids电流越来越大, Vds电压终于保持不住,开始下降。直到管子完全
mos管作为重要电子元件，其稳定性和可靠性对整个电路系统至关重要，而SOA（安全工作区）是评估mos管工作稳定性的重要指标，然而很多小白不太会看mos管的SOA区域，今天讲讲怎么看，希望对小伙伴们有所帮助。1、SOA区域的概述SOA区域是由
mos管（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的封装方式多种多样，这些封装方式不仅影响着mos管的物理尺寸、散热性能，也决定了其适用范围和可靠性，所以如何根据项目需求，合理选择mos管的封装方式？1、TO-247封装TO-247主要用于大功率场
电源损耗是如何分布的？
在电源设计中，电源损耗是很重要的关键考量因素，将直接关联到电源的整体效率、稳定性和可靠性，在电源内部，损耗的分布情况复杂多样，涉及多种元件和电路环节，所以工程师是必须要深入了解电源损耗的分布情况，以此优化电源设计。1、开关关（如mos管）损
在电子设计中，输出模式的选择对电子系统的整体性能有重要影响，而开漏输出作为其中一种常见的输出模式，在多种场景中发挥重要作用。本文将介绍开漏输出，希望对小伙伴们有所帮助。1、开漏输出是什么？开漏输出是一种基于MOSFET（金属氧化物半导体场效
mos管全称为金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），也被称为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
问题起源我在公众号发的视频一般也会发在B站，最近就有一个小伙伴在我的视频底下面留言了。因为这个视频里面有讲mos管栅极串联电阻的作用，怎么就能抑制谐振，还有电阻的阻值怎么选择，但是我没说这个电阻的功耗怎么计算。考虑到有的小伙伴不知道我之前讲了啥，我就把链接再贴上（看过的就不用浪费时间再看了）B站是这
今天开始，聊一聊运放吧，之前很多兄弟们也提了这个要求。正好我最近也想深入看看运放方面的，那么就借这个机会一步一步再搞一搞吧。 运放这个器件相对于电阻，电容，三极管，mos管等器件算是比较复杂的，而且电路中也常用，出问题的情况也多，显然一篇文章根本就说不明白运放，因此，我可能要写很多期。具体多少期，写
