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大家好,我是王工。在网上刷到一个分离元器件搭建的电路,而且据说这个电路已经量产,电路本身不复杂,但是同时集成了三种功能:防反接,过压保护和电源缓启动。废话不多说,咱们一起来看它的工作原理。011防反接关于防反接,我之前已经写了很多文章了,防反接要么用二极管,要么用mos管,这里的防反接主要靠的是Q2
mos管现在做开关最多,就是可以G和S之间的电压来控制DS极的开闭。一般经验是这样做:PMOS放在高端,就是正电位的地方,NMOS就是低端开关,靠近GND的地方。MCU控制的地方是G点(太色情了):NMOS一般是高电位,PMOS是低电位。以上是我个人学习的总结,接下来就写一点原理的东西,我也没有学过
上期文章“mos管损耗理论计算公式推导及LTspice仿真验证”我们理论计算了mos管的开关损耗。这期来说明一个问题:为什么我们很多时候要求mos管快速关断,而没有要求mos管快速开通?下面是常见的mos管的驱动电路mos管快关的原理还是先简单介绍下快关的原理:我们知道,mos管开通和关断的过程,就
绝缘栅型场效应管(mos管)是许多工程师不会陌生的关键元件之一,该元件因高输入阻抗特点被广泛应用,但这也让mos管栅极极易击穿,所以有没有关键措施可防止其击穿?!1、保持栅源直流通路栅源间接电阻:在栅源两极之间接一个100KΩ以内的电阻,确
准确判断结型场效应管的电极是电子维修与调试的基础。本文将介绍一种利用万用表快速判断结型场效应管栅极、源极和漏极的具体方法。1、测试准备万用表调至RX1K挡。假定某一管脚为栅极G,用黑表笔接触。2、判断栅极G若前次阻值小(约5~10欧),交换
在电子电路中,mos管是常见且重要的电子元件,其放大能力的强弱将直接影响电路性能,不过如果需要你快速估测mos管的放大能力,你该怎么做?本文将介绍一种利用万用表快速估测mos管放大能力的方法,希望对你有所帮助。1、测试准备万用表调至RX10
开关电源开关管
开关管作为开关电源的核心器件,我们常常将其比喻成我们的心脏,其工作状态直接决定电源的效率、可靠性与稳定性。我们目前常见的开关管有半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT),mos管比较常用于低 - 中功率场景,IGBT则多比较常用于高电压、大功率的工业领域。 开关
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是现代电子器件中非常重要的组件,广泛应用于开关、电源管理和放大等领域。MOSFET根据其结构和工作原理的不同分为P沟道和N沟道两种类型。一、基本结构与工作原理N沟道MOSFET:结构:N沟道MOS
(1)mos管,一般是当做3端口器件,如果算上衬底的话,那就是4端口器件。因为很多时候,衬底经常与地(NMOS)或者VDD(PMOS)连接,所以经常略掉这个端口。(2)Ali教授[1],在他的系列视频以及配套的书籍中,讲mos管的时候,是从MOS capacitor开始的,也就是说,只有栅极,绝缘层

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