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802.11ax IP68 wide range IIC T6 Qualcomm chipsets embedded devices.Access Point, 50km Bridge, 5G Router, DTU, IntrinSiCa
很多工程师在进行IC设计时都会选择FPGA来验证设计，而不是仿真模拟，这是因为与仿真相比，FPGA检查设计的效率高得多，当然大多数芯片开发中，都会选择FPGA原型机验证与RTL仿真结合起来。所以今天就聊聊基于FPGA的验证分析。在FPGA的
光研科技自主研发的光束质量分析仪可实现激光光斑检测及测试应用。为客户提供定制光束质量分析一体化设计解决方案，并支持多应用开发。光束质量分析仪装置一体化设计，配套衰减方案设计，支持实时曝光及增益调节。适用半导体激光器，固体激光器，光纤激光器，
产品概述1200V碳化硅汽车Mosfet系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术，碳化硅mosfet专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。
产品概述IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半
土耳其伊斯坦布尔 ElectraIC 总经理兼管理合伙人 Ates Berna 最近在 LinkedIn 上发布了一份总结比较图表，展示了 FPGA 和 ASiC 之间的差异。 虽然这不是一个详细的图表，但我认为它是一个很好的破冰船，当你需要一个相当复杂的高性能、非标准 IC 来解决设计挑战时，它会
FPGA (Field Programmable Gate Array)即现场可编程门阵列。它是在PLA、PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASiC)领域中的一种半定制电路，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。1、 FP
FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SiC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSiCTM 汽车 MOSFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
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