想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，MOS管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个MOS管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一

如图，为什么在Vce下降前ic就开始上升了呢？这里就用MOSFET代替BJT了,所以ids= ic , Vds=Vce , Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压 ,随着Ids电流越来越大, Vds电压终于保持不住,开始下降。直到管子完全

在电子电路中，MOS管驱动电路是很重要的，将直接关系到MOS管的开关速度和效率，本文将列出四个常见的MOS管栅极驱动电路，并附出四个电路图，希望对小伙伴们有所帮助。1、IC直接驱动型这种电路通过电源IC直接提供驱动信号给MOS管的栅极。其结

MOS管有很多种，通常的模电教材里都会至少分为PMOS/NMOS、增强型/耗尽型，因为一般情况下，实际工程中能见到的基本上都是增强型。所以下文中就不特殊说明了，都是指的增强型。1）MOS管的识别首先，MOS管的电路符号如图：MOS管的符号三个极中，中间的是栅极G，箭头指向栅极的是NMOS，箭头背向栅

电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和MOS的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；MOS管是电压控制电流器件，用

在电子元件中，金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此工程师必须查找原因并解决问题。1、MOS管为什么很容易失效？①静电放电（ESD）MOS管的输入阻抗极高，使

一、开关和放大器MOS管最常见的电路可能就是开关和放大器。1. 开关电路G极作为普通开关控制MOS管。2. 放大电路让MOS管工作在放大区，具体仿真结果可在上节文章看到。二、时序电路中作为反相器使用下图示例电路中，芯片1正常工作时，PG端口高电平。如果芯片1、芯片2有时序要求，在芯片1正常工作后，使

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导

要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表