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TLE92108-232QX 多MOSFET驱动器设计在一个封装中最多控制8个半桥（最多16个N沟道MOSFET）。TLE92108-23xQX驱动器非常适合用于涉及汽车直流电机和电磁阀控制的应用，如电动座椅模块、电动闭合系统等。通过24位
MOSFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在MOSFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
0、前言锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC控制MOSFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，如图1所示。在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protecti
作者经常遇到许多研发工程师寻问功率MOSFET的SOA曲线有关的问题，如有些做电源的研发工程师，电源结构为反激或BUCK降压变换器，他们测量到功率MOSFET的电压和电流波形，然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间，在SOA曲线中描出对应的工作点，来校核工作点是否在SOA曲线的范围内，以此来判断功
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC
晶体管是一种半导体器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。晶体管可以控制电流，而且具有高输入电阻、低输出电阻和低噪声等优点，因此在现代电子技术中被广泛应用。为帮助大家深入了解，本文将对晶体管的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
半导体分立器件是由单个半导体晶体管构成的具有独立、完整功能的器件。例如：二极管、三极管、双极型功率晶体管(GTR)、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管(结型场效应晶体管、MOSFET)、IGBT、IGCT、发光二极管、敏感器件等。半导体分立器件
