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开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源。开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、
过流短路其实是一个原理，通过在输出端串接一个检测电阻，将需要保护的电流值转化为电压值，将此电压值送入运放，与基准电压比较，即可得出一个信号，用来控制保护是否启动。过流都可以保护了，那短路其实就是过流的极限状态，只是此时由于短路，输出电压没有了，这时颗配合初级的MOSFET的限流电阻控制最大输出功
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
DC/DC电源指直流变换为直流的电源,从这个定义看,LDO也应归属于DC/DC电源,但一般只将直流变换到直流,且这种转换是由开关方式而实现的电源称为DC/DC电源对于LDO的优点是低噪声低纹波、应用简单、成本低、输入/输出几乎无延时,而缺点是功耗大、效率低、只能用做降压变换、只支持小电流的输出(受散热条件的限制,LDO最大功耗不能超过3W)、无法实现输入/输出的隔离。LDO的这种特性与其内部的晶体管(或 MOSFET)工作于线性区有关。DCDC则基本克服了LDO所具有的缺点,DCDC电源的 MO
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管（上管，功率MOSFET）和续流管（下管，功率MOSFET）、以及输出电感和滤波电容。通常，PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱，从而简化系统设计，如图1所示。 输出负载电流较小时，将2个功率MOSFET集成到IC内部，进
TLE92108-232QX 多MOSFET驱动器设计在一个封装中最多控制8个半桥（最多16个N沟道MOSFET）。TLE92108-23xQX驱动器非常适合用于涉及汽车直流电机和电磁阀控制的应用，如电动座椅模块、电动闭合系统等。通过24位
对于LED，相信很多人都有听说过，那么LED电源呢？LED电源核心元件包括开关控制器、电感器、开关元器件(MOSFET)、反馈电阻、输入滤波器件、输出滤波器件等等。根据不同场合要求、还要有输入过压保护电路、输入欠压保护电路，LED开路保护、
TOP250Y开关电源的工作原理及关键电路参数设计-TOPSwitch-GX单芯片高压IC 系列将高压功率MOSFET、PWM控制、故障保护和其他控制电路等高性价比地集成在单片CMOS芯片上。
