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二极管是一种半导体器件，具有单向导电性质，可用于电子电路中的整流、放大和切割等方面。二极管的连接方式十分重要，正确连接可以保证电路的正常工作，而错误的连接则可能导致电路损坏或无法正常工作。那么，二极管哪边是正极？正负极应该如何连接呢？首先，
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE
做好以下几步，模拟电路设计将会得心应手。 1.电路设计一定要先把分立元器件学好，学透。比如：电阻、电容、二极管、稳压管、三极管、比较器、运放、MOSFET等。分立元器件在模拟电路设计中是最基本也是最小的组成部分。这好比人的组织细胞，要想研究人就要先研究组织细胞。 2.需要懂得利用这些分立器件的工作特性和条件来组成一个小的单元电路，学会让这个单元电路正常工作。这就好比各个组织细胞组成了人体的各个器官，模拟电路设计的各个单元电路正常高效工作就好比人体器官的高效协调运作。
整流电路整流电路是一种把交流电能转换为直流电能的电路。它主要由变压器、整流元件（如二极管或MOSFET）和滤波器等组成。根据电路结构和控制方式的不同，整流电路可以分为半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流、相控整流、斩波整流等多种类型。根
这趟“高效节能”车没有老司机，全靠英飞凌功率技术带你飞！-什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
过流短路其实是一个原理，通过在输出端串接一个检测电阻，将需要保护的电流值转化为电压值，将此电压值送入运放，与基准电压比较，即可得出一个信号，用来控制保护是否启动。过流都可以保护了，那短路其实就是过流的极限状态，只是此时由于短路，输出电压没有了，这时颗配合初级的MOSFET的限流电阻控制最大输出功
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
晶体管是一种半导体器件，是现代电子技术的基础之一。它可以用来放大电信号、开关电路和作为振荡器等。晶体管是由半导体材料制成的，通常是硅(Si)或者锗(Ge)。晶体管的外形通常是一个小型的芯片，可以被安装在电路板上。接下来文中将简单介绍晶体管的
晶体管是现代电子电路中的核心元件，其工作状态对电路的性能起着决定性的影响，根据其工作状态，晶体管可分为截止区、放大区和饱和区，那么你知道他们的工作机制和区别吗？下面一起随凡小亿来看看吧！1、截止区此时晶体管处于关闭状态，集电极和发射极之间没
