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智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。表1：功率MOSFET参数
中大功率的ACDC电源都会采用有源功率因数校正PFC电路来提高其功率因数，减少对电网的干扰。在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，在实际的使用中，通常会加一个旁路二级管D2，如图1所示。旁路二级管D2的作用，不同的资料，不同的工程师，都有不同的解释，下面逐一分析说明。图1：PFC电路 1、减少
尖峰吸收电路
上一篇文章提到了RCD尖峰吸收电路，有留言说能将尖峰吸收电路展开详细说一下；那这一章我们就将尖峰吸收电路的类型和使用场合进行详细分析一下。 尖峰电压吸收电路是开关电源的一种辅助电路，尤其是在反激式开关电源中，那是必不可少的。因为在开关电源中，当开关电源的功率MOS管由导通变成截止瞬间，
绝缘栅场效晶体管（MOSFET）是一种广泛应用于电子电路中的重要半导体器件，其结构具有栅极与其他半导体区域完全隔离的绝缘层。然而，为了保证器件的正常工作，栅极不能随意开路。一、绝缘栅场效晶体管的基本结构MOSFET的结构主要包括三个区域：源
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为现代电子电路中的重要开关元件，具有高效率、快速开关能力和易于集成的优点，被广泛应用于电源管理、数字电路、模拟电路等多个领域。一、MOSFET的主要结构基本结构MOSFET主要由三个区域组成：源
在开关电源、电机驱动等高频功率场景中，MOS管的发热问题直接关系系统效率与可靠性。本文摒弃“适度散热”“合理设计”等模糊表述，聚焦具体技术点，拆解发热根源与解决方案，直击核心差异。1、发热原因：四类具体损耗导通损耗：导通电阻（Rds(on)
CMOS运算放大器是基于互补金属氧化物半导体技术构建的一种运算放大器。与传统的BJT（双极型晶体管）运算放大器相比，CMOS运算放大器利用NMOS和PMOS晶体管的组合，提供更好的功耗特性和集成度。CMOS运算放大器的作用信号放大：CMOS
掌握单片机开发，不仅在于编程技巧，更在于对基础电路模块的深刻理解与灵活运用。以下是实际项目中反复验证的20个经典电路，它们构成了绝大多数单片机应用的硬件基石。电路模块类别核心功能关键要点电源管理与保护防反接保护利用二极管或PMOS管防止电源
选逻辑门就像选手机壳，要颜值（工艺）也要实用（电压），更要匹配需求（功能）。今天本文聚焦逻辑门选购注意事项，保证你选的又快又准。1、高速信号别用二极管门二极管门（老式与门、或门）电平会衰减，高速信号（比如光纤通信）用了会乱码。2、CMOS门
手机快充头发热烫手？电动车充电时电池管理系统罢工？这些糟心事的背后，可能藏着场效应管（MOSFET）导通电阻的秘密。都说导通电阻越小越省电，但真相可能颠覆你的认知！1、导通电阻小，确实香省电王者：导通电阻小，电流通过时发热少，电源转换效率飙
