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整流电路整流电路是一种把交流电能转换为直流电能的电路。它主要由变压器、整流元件（如二极管或MOSFET）和滤波器等组成。根据电路结构和控制方式的不同，整流电路可以分为半波整流、全波整流、桥式整流、倍压整流、相控整流、斩波整流等多种类型。根据整流器件是主动（受控 MOSFET）还是被动（二极管）的，将
在高频开关电路中，MOSFET的寄生电容直接影响开关速度与功耗。本文提炼电容计算的关键公式与影响因素，为硬件工程师提供精准设计指南。一、基础电容定义输入电容（Ciss）公式：Ciss = Cgs + Cgd作用：决定栅极驱动电流需求，Cis
功率MOSFET管不管是平面结构、TRENCH结构还是SGT结构，内部P阱区与N 源极都会短接，然后一起连接到外部源极管脚，如图1所示。图1 功率MOSFET管内部结构那么，为什么内部P阱区与N 源极要短接在一起？功率MOSFET管内部结构都包含N外延层（漂移区）、P阱基区和N 源极区，这三个区形
C语言史上最愚蠢的BUG
本文来自“The MOSt stupid C bug ever”，很有意思，分享给大家。我相信这样的bug，就算你是高手你也会犯的。你来看看作者犯的这个Bug吧。。首先，作者想用一段程序来创建一个文件，如果有文件名的话，就创建真正的文件，如果没有的话，就调用tmpfile()创建临时文件。他这段程序
锂电池保护电路的布局布线直接影响电池安全性与使用寿命。本文从元件布局、走线设计、隔离散热、EMI抑制、测试验证五大维度，提供具体实施框架。一、元件布局策略功能分区保护芯片（如DW01）靠近电池正极MOS管（充放电开关）贴近保护芯片电流路径主
大家好，我是王工。最近有个项目，板子回来调试时，电路供电异常，排查问题后才发现有个不该被打开的MOS管突然打开了。因为这个电路功能做了兼容，全部讲可能有点麻烦，也不是本文的重点，所以为了看起来更直观，我简化了电路图。请看下图，问大家一个问题，大家觉得图中的MOS管能打开吗？我相信很多人都会回答，这管
TOP266KG是一款高性能离线式开关电源控制器芯片，属于 TOPSwitch®-JX 系列。该芯片集成了 725V 功率 MOSFET 和 PWM 控制器，支持高达 58W 的输出功率，适用于多种电源拓扑结构，如反激式开关电源。规格输出隔
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热
MOSFET的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有三个工作区：截止区、线性区和完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区；完全导通区也称可变电阻区。图1：MOSFET的漏极导通特性通常MOSFET工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损
