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全控型器件——绝缘栅双极晶体管"GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-g
全控型器件——电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工
IGBT关断过程分析
IGBT关断过程的分析上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOS
功率MOSFET基础
本文内容较长，希望了解MOSFET基本参数工程师，需要花一些时间和耐心。功率MOSFET基础内容表 1.基本器件结构2.击穿电压3.导通状态特性4.电容5.栅极电荷6.栅极电阻7.导通和关断8.体二极管正向电压9.体二极管反向恢复10.雪崩能力和额定11.dV/dt额定12.热阻特性13.功率耗散1
我们用了二个篇幅去讨论功率MOSFET的漏极脉冲电流以及和短路保护相关的测量规范，那么，在实际的应用中，这些规范是否能够完全解决短路保护的问题呢？今天，我们讨论有关这个技术指标的4个实际的细节，希望能够给大家提供一些参考。 1 短路保护并联均流电动汽车和电动自行车控制器目前大量地使用中压的功率MO
大家好，我是王工。在网上刷到一个分离元器件搭建的电路，而且据说这个电路已经量产，电路本身不复杂，但是同时集成了三种功能：防反接，过压保护和电源缓启动。废话不多说，咱们一起来看它的工作原理。011防反接关于防反接，我之前已经写了很多文章了，防反接要么用二极管，要么用MOS管，这里的防反接主要靠的是Q2
Pete Hulbert, 行业顾问Yuegang Zhao, Keithley 资深应用工程师概述对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，交流或脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力/测量循环。所施加的应力电压通常是一
在现代电子设备中，CMOS电路靠着低功耗、高集成度等特点广泛应用，但是这并不意味着CMOS电路是完美的，高输入阻抗特性使得CMOS电路对静电、干扰等异常敏感，所以工程师在使用/设计CMOS电路时，一定要注意这些地方。1、未用管脚处理所有未使
Cool-MOS（超级结MOSFET）以其快速开关特性和低功耗在高频开关电源等领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，Cool-MOS系统也面临着一系列问题。本文将直接列出Cool-MOS系统应用中的常见问题，以便工程师快速识别和解决。一、E
Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF
