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1、R7FA2E1A52DNH ：RA2E1 48MHz Arm® Cortex®-M23 入门级通用微控制器RA2E1 产品群是 RA 系列的入门级单芯片微控制器，基于48 MHz Arm® Cortex®-M23 内核，具有高达 128
HBM2E Flashbolt 是先进的内存包产品，提供卓越的带宽功能和下一级能效，所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。HBM2E Flashbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格，通过垂直堆叠八层 10
1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用
全桥式开关电源解析
今天来讲解一下全桥电路中的一类：全桥逆变线路。按照以往习惯，先上线路原路图：我们可以看到上图是由芯片和4个MOS管共同构成的全桥式开关电源输出部分，当时芯片使用的好像是LM27402MHX型号，具体参数有兴趣的小伙伴可以上网查找，我这边只贴出芯片产商推荐外围线路架构图与芯片内部结构原路图，如下图所示
不小心查到了这个东西，世界上最小的MCU：好小捏在高尔夫球上面的样子好圆润指甲上面晶圆封装，和nPM1200一起使用就可以设计嵌入式的医疗设备Kinetis KL03芯片尺寸封装MCU是新一代全球最小的ARM架构的MCU，为支持最创新的小型智能设备而设计。1.6×2 mM2的超小型晶圆级芯片封装(C
引言随着高性能计算和人工智能/机器学习应用的发展，异构三维(H3D)堆叠系统应运而生。这类系统通过精密间距的垂直芯片堆叠，实现了更高的功能密度、更低的通信延迟和更有效的功率分配。然而，在H3D堆叠系统中，高效电源传输网络(PDN)的实现和散热管理面临着重大挑战[1]。图1：异构三维集成系统各种电源传
引言半导体行业通过创新集成技术持续发展，特别是在三维集成电路（3DIC）领域。本文介绍基于SOI临时键合技术的突破性方法，该方法实现了亚微米级别的层间厚度和精确对准[1]。1三维集成技术的发展三维集成在半导体制造领域代表着重要的技术进步，为克服传统工艺缩放限制提供了解决方案。目前存在单片三维集成和晶
实验目的在上一篇文章 升压型直流开关电源基本原理 中我们使用 Arduino 搭建了一个升压型非隔离直流开关电源电路，学习了升压型开关电源的基本原理，我们得到结论，电感通电时间越长，电感断开时出现的瞬间电压越高。今天，我们使用升压型开关电源芯片 LM2577S-ADJ 验证一下上述结论。实验电路LM
STM32定时器是嵌入式开发的核心外设，本文聚焦定时时间计算与配置步骤，拒绝空泛理论，直接给出可复用的技术方案。1. 时钟源选择使用APB1/APB2总线时钟（典型值72MHz）示例代码：__HAL_RCC_TIM2_CLK_ENABLE(
电源设计里，稳压芯片是“心脏”，而LM2576和LM2596这对“兄弟”常被拿来比较。它们到底是啥？能不能直接替换？今天用最直白的方式说清楚！1、LM2576出身：美国国家半导体（现德州仪器TI）出品，降压型开关稳压器。核心参数：输出电流：
