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很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛
IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备
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1、IKW30N65EL5XKSA1（650V）TRENCHSTOP™ 5 L5（低饱和5）IGBT处于开关频率范围的另一端，优化用于在开关<10kHz的设计中提供出色的性能。针对50Hz至20kHz的低开关频率范围对L5进行了专门优化。L
什么是PWM“死区”？
PWM是脉宽调制，在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况。因此，设计带死区
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
UCC27531QDBVRQ1功能框图驱动配置：低端通道类型：单路驱动器数：1栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压 - 供电：10V ~ 32V逻辑电压 - VIL，VIH：1.2V，2.2V电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.
IGBT门极驱动设计规范
1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压
自从摩尔定律被提出后，芯片内置的晶体管数量开始以高速增长趋势发展，其中的绝缘栅双极晶体管因其特点广受关注，常应用在多种行业，今天我们将为小伙伴们科普绝缘栅双极晶体管。一般来说，电力晶体管GTR的特点是双极性，由电流驱动，有电导调制效应，通流
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