​三星宣布将用3nm工艺生产GAA环栅晶体管芯片

作为全球半导体先进工艺的领导者，三星和台积电一直垄断着先进芯片领域，但由于近年来三星负责高通的骁龙处理器订单不顺，导致其骁龙产品口碑性能反响不佳，导致高通部分订单转向台积电。

为保证先进工艺地位，近日三星宣布将用3nm工艺生产GAA环栅晶体管芯片，据三星表示，与5nm工艺相比，优化后的3nm工艺不仅缩小16%面积，还能降低45%的功耗并提升23%的性能。

据了解，为突破鳍式场效应晶体管（FinFET）的性能限制，三星选择多桥通道FET（简称 MBCEFT）技术来制造首批GAA晶体管芯片。除此之外，三星还通过下调电压水平来提升能源效率，同时增加驱动电流以提升性能。

据业界人士爆料，三星正在努力推动3nmGAA晶体管和相关半导体芯片在高性能、低功耗计算领域的应用，并计划将该技术应用在移动处理器。

三星电子总裁、代工业务负责人Siyoung Choi博士表示：“通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺，三星希望在高K金属栅极、FinFET和EUV之外，通过3nm MBCEFT工艺来继续保持竞争优势。期间三星将保持积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”

与更常见的纳米线GAA方案（特点是窄通道）相比，三星选择了更宽的通道，声称有能力调节 3nm GAA 纳米片的通道宽度，结合优化的功耗与性能表现，来满足客户的各种需求。

同时，GAA的设计灵活性，对于设计技术的协同优化（DTCP）也非常有利，可以帮助增强功耗、性能和面积等方面的优势。