全球最先进的3D NAND存储芯片是由中国研发！

提起3D NAND存储芯片，很多半导体厂商都不会陌生，它对现代电子设备来说非常重要，提供了高容量、快速读写、高可靠性、节能和持久性的数据存储解决方案，减少了制造缺陷和故障的可能性，是很多半导体厂商重点发展的芯片之一。

近日，知名半导体行业观察机构TechInsight表示，在一款消费电子产品中发现了世界上最先进的3D NAND存储芯片，而这款芯片是来自中国顶级的3D NAND制造厂商长江存储打造而成的。

据了解，TechInsights是在2023年7月推出的致态SSD中，发现了由长江存储制造的232层QLC 3D NAND芯片，这种QLC芯片具有19.8Gb/mm2的商用NAND产品中最高的比特密度。

这块芯片有多优秀？完全超越了同样在开发232层QLC 3D NAND芯片的美光和英特尔。

TechInsights表示，虽然长江存储在中美贸易战中被美国列入“实体清单”面临着种种困难，在供应链中被苹果受限于生产iPhone零部件等，但长江存储依然不断发展着。

得益于存储市场的低迷，越来越多内存厂商开始降低成本，反而扩大了长江存储的生存空间，使其具有领先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

总的来说：中国正在努力客服贸易限制，建立本土半导体供应链的势头比预期的还要成功。

“这确实是一个令人惊叹的质量水平，是我们始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我们要祝贺中国，能够制造出这样的产品。这意味中国拥有非常强大的能力，而且还在继续发展技术。”