1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成

1200V、IXYA20N120A4HV、IXYA30N120A4HV采用第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。

概述：

沟槽型1200V XPT™ GenX4™ IGBT采用专有的XPT薄晶圆技术和最先进的第四代 (GenX4™) 沟槽型IGBT工艺研发而成。这些绝缘栅极双极晶体管具有低热阻、低能耗、快速开关、低拖尾电流和高电流密度等特性。该器件在开关和短路条件下具有出色的耐用性。

这些通孔IGBT还具有方形反向偏置安全工作区 (RBSOA)，击穿电压高达1200V，因此非常适合用于无缓冲硬开关应用。该IGBT的Vsat超低，提供高达5kHz开关频率。IXYS XPT第四代沟槽型IGBT包括一个正集电极-发射极电压温度系数。因此，设计人员可以并联使用多个器件，以满足大电流要求和低栅极电荷需求，从而有助于降低栅极驱动要求和开关损耗。

典型应用包括电池充电器、灯具镇流器、电机驱动器、功率逆变器、功率因数校正 (PFC) 电路、开关模式电源、不间断电源 (UPS) 和电焊机。

IXYA20N120A4HV器件规格：

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：135 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，20A

功率 - 最大值：375 W

开关能量：3.6mJ（开），2.75mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：46 nC

25°C 时 Td（开/关）值：12ns/275ns

测试条件：800mV，20A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：54 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263HV

基本产品编号：IXYA20

IXYA30N120A4HV技术参数：

IGBT 类型：PT

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：106 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：184 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A

功率 - 最大值：500 W

开关能量：4mJ（开），3.4mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：57 nC

25°C 时 Td（开/关）值：15ns/235ns

测试条件：960V，25A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：42 ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装：TO-263HV

基本产品编号：IXYA30

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