一　电子设计电阻器电阻，英文名resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说，I=U/R，那么R=U /I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：导体上加上一伏特电压时，产生一安培电流所对应的阻值。电阻的主要职能就是阻碍电流流 过。事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻

在进行PCB布线之前，都需要先做扇出工作，方便内层布线。对于电阻电容后者是小的IC类器件，可以直接进行手动扇出，但是对BGA类的器件，管脚数目太多，如图5-122所示，这样手工去扇出的话，工作量太大，而却BGA区间必须要扇孔在焊盘的中心位置，所以手动扇出是不现实的，这里我们讲解下，如何对BGA器件进行自动扇出，提高设计的效率，具体操作如下所示：

有源滤波分为： 低通滤波（积分电路）; 高通滤波（微分电路）; 带通滤波（后期再和大家分享）; 带阻滤波（后期再和大家分享）。 运放电路反馈分为： 电流反馈，增大输出电阻，稳定输出电流 电压反馈，减少输出电阻，稳定输出电压 串联反馈，增大输入电阻，稳定输入电压，降低电压放大倍数。 并联反馈，减少输入电阻，稳定输出电流，降低电流放大倍数。

根据欧姆定律,当被测电流流过电阻时,电阻两端的电压与电流成正比.当1W的电阻通过的电流为几百毫安时,这种设计是没有问题的.然而如果电流达到10-20A,情况就完全不同,因为在电阻上损耗的功率(P=I2xR)就不容忽视了.我们可以通过降低电阻阻值来降低功率损耗,但电阻两端的电压也会相应降低,所以基于取样分辨率的考虑,电阻的阻值也不允许太低.

在电路设计中dummy的作用是： 1. 保证电路可制造性，防止芯片在制造过程中由于曝光过渡或不足而导致的蚀刻失败：如在tapeout的时候会检查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等； 2. 避免由于光刻过程中光的反射与衍射而影响到关键元器件物理图形的精度进又而影响其size：如在模拟电路的电阻、电容阵列外围加上dummy res和dummy cap等，以及关键MOS附近加dummy MOS等；

电路设计中电阻的选择要根据电路的功能，功率，精度等多方面考虑。下面简单说一下电阻的选用原则 电阻的种类很多，常用的有碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻、线绕电阻等；特殊电阻有压敏电阻、热敏电阻、光敏电阻等。电阻选用时首先要考虑的就是电阻的参数和类型，因为对于不同类型的电阻，其特性参数都有一定的差异，在电路使用时需要考虑的重点也不一样。 在电路设计中千万不能忽略某些电阻的一些特殊参数，否则可能导致可能会使产品的稳定性和可靠性降低。正确的理解电阻各个参数以及不同电阻的选型注意事项，全面的理解电阻在电路中

可控硅的保护电路设计，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 1. 电路设计过流保护 可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,

在高速电路设计中，链路中的每一个参数都有可能导致传递的信号出问题。今天就和大家分享一个平常大家不太注意的参数。 先回顾下在中学的时候，咱们学习的一个概念，趋肤效应：当信号的频率较越来越高时，信号都会趋向于导体的表面传递。这样就会导致信号流过导体的相对有效面积变小，从电阻的角度来分析，这就会导致电阻增加，导致传递能量的损失。 在电子产品使用的PCB，基本都是由铜箔和有机材料组成的 我们平时看到的铜箔，表面上看起来都是非常光滑的，实际上并不如你肉眼所见的那样，铜箔并不是完全光滑的。

电阻的种类很多，常用的有碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻、线绕电阻等；特殊电阻有压敏电阻、热敏电阻、光敏电阻等。电阻选用时首先要考虑的就是电阻的参数和类型，因为对于不同类型的电阻，其特性参数都有一定的差异，在电路使用时需要考虑的重点也不一样。 在电子设计中千万不能忽略某些电阻的一些特殊参数，否则可能导致可能会使产品的稳定性和可靠性降低。正确的理解电阻各个参数以及不同电阻的选型注意事项，全面的理解电阻在电路中起到的真正作用，才能够在电子设计中从基本的层面上来保证产品的功能和性能。

在电子设计芯片的电源输入端一般都会加一颗贴片电容，比如单片机的电源输入端、运放的电源输入端等，电容的个数与电源的通道数一致。一般这个电容选用0.1uF的。如下图所示是AT24C02电源引脚所接的电容。 单片机或者是通信芯片等需要用到晶振的芯片，在设计无源晶振电路时，用两个电容和晶振构成震荡起振电路为芯片提供时钟频率。一般这个电容的选择范围为(15-30)pF,有的芯片会在数据手册上写明不同晶振下该选用多大的电容。 电容具有储能作用，通过设计不同的串联电阻，可以改变电容的充放电速度，也就起到了