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可控硅保护电路设计方法
可控硅的保护电路设计，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 1. 电路设计过流保护 可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,
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串联反馈：是指我们的反馈元件从反馈网络中取出反馈信号用串联的形式把反馈电压和我们的输入回路相减，串联反馈:降低放大器的电压放大倍数，稳定放大器的电压增益。由于是串联所以提高了输入电阻。
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