- 全部
- 默认排序
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)(功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM))。该MOSFE
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET,符合生产件批准程序 (PPA
1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管(上管,功率MOSFET)和续流管(下管,功率MOSFET)、以及输出电感和滤波电容。通常,PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱,从而简化系统设计,如图1所示。 输出负载电流较小时,将2个功率MOSFET集成到IC内部,进
小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路图-电路中使用了内阻10Ω的小信号MOSFET桥驱动,后级功率管总能处在较佳工作状态,只要有适当的大功率MOSFET和电感,再增大输出电流是很容易的事。