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关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
作者经常遇到许多研发工程师寻问功率MOSFET的SOA曲线有关的问题，如有些做电源的研发工程师，电源结构为反激或BUCK降压变换器，他们测量到功率MOSFET的电压和电流波形，然后根据电压、电流波形和工作的脉宽时间，在SOA曲线中描出对应的工作点，来校核工作点是否在SOA曲线的范围内，以此来判断功
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
产品概述：AP8852 是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速 环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压（4.5 V至60V）提供0.5A电流的高效率输出，可在 移动环境输入的条件下实现各种降压型
一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPA
1、ISZ113N10NM5LFATMA1OptiMOS™ 5线性FETISZ113N10NM5LF OptiMOS™ 5线性FET具有非常低的导通电阻和100V VDS。该产品组合包括11.3mΩ低导通电阻RDS(on)。该器件采用TDS
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