使用运放电流检测，检测方式有高端检测和低端检测两种运放电路​。高端运放电流检测优点：-可以检测区分负载是否短路-无地电平干扰缺点：-共模电压高，使用非专用分立器件设计较复杂、成本高、面积大低端运放电流检测优点：-共模电压低，可以使用低成本的普通运算放大器缺点：-检流电阻引入地电平干扰，电流越大地电位干扰越明显

BUCK电源分立器件搭建原理图实战之滞回电路（三） 我们知道MOS管需要开通快关断快，这样才能减少损耗，那MOS管的前级驱动电路一般情况都使用三极管推挽电路实现，我们先定前级驱动电路的电源是12V,我们来看一下电路是怎

做好以下几步，模拟电路设计将会得心应手。 1.电路设计一定要先把分立元器件学好，学透。比如：电阻、电容、二极管、稳压管、三极管、比较器、运放、MOSFET等。分立元器件在模拟电路设计中是最基本也是最小的组成部分。这好比人的组织细胞，要想研究人就要先研究组织细胞。　　 2.需要懂得利用这些分立器件的工作特性和条件来组成一个小的单元电路，学会让这个单元电路正常工作。这就好比各个组织细胞组成了人体的各个器官，模拟电路设计的各个单元电路正常高效工作就好比人体器官的高效协调运作。

一、概述1、NTTFS6H860NLTAG N沟道功率MOSFET具有低最大导通电阻 (RDS(ON))、超低栅极电荷 (Qg) 和低 (Qg) x RDS(ON)（功率转换应用中使用的MOSFET的关键品质因数 (FOM)）。该MOSFE

答：我们以一个电阻的封装为例，详细讲解创建一个简单分立元器件步骤：第一步，按照我们前面的问答中详细介绍，新建一个库文件，如图2-11所示,填写名称为RES,起始名称为R，PCB封装那一栏先可以不用填写，分立器件，Part选择1即可，其它按照默认设置； 图2-11 新建RES的库文件是示意图第二步，在弹出的R?的虚线框，在右侧栏选择Place Rectangle，绘制一个合适的矩形框在虚线内部，运用菜单栏上的Snap To Grid，关掉格点，将矩形框调整到合适的位置，然后将虚线框缩小至

想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，MOS管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个MOS管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一

1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压

本期来讲一下三极管作为开关电路的分析。由于现在用分立器件三极管搭电路的已经越来越少了，如果不是做模拟电路的ic设计，这方面的知识在工程中已经很少用到，但是作为开关来用的场景还是挺多，常见的如搭一个非门、驱动继电器、驱动直流电机等等情况。严格来讲这一篇可能不完全算模电的范畴，但是说它是数电也不太对，

1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的

器件说明NVMYS011N04C和NVMYS4D1N06CL 是适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，采用 5x6mm LFPAK 封装且具有较高的热性能。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPA