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ESD的意思是“静电释放”，ESD是以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD，中文名称为静电阻抗器。1）静电容易吸附细小的灰尘，造成一定的污染2）静电放电会造成器件击穿，静电放电是一个电荷积
稳压二极管伏安特性
稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。 稳压管的主要参数如下： (1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izma
怎样测量小容量电容的好坏？1、检测10pF以下的小电容，因10pF以下的固定电容器容量太小，如果用指针式用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两电表金属测棒分别任意接电容的两个
MOSFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在MOSFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压
薄膜电容器由于其特点，经常应用在电子电路上，但却鲜为人知，可以说很多小白对它不甚了解，甚至不知道如何使用它，在使用过程中会引发许多问题，今天小编将搜集答案进行回答薄膜电容的问题，希望对小白有所帮助。薄膜电容器的额定电压是什么？一般来说，薄膜
稳压二极管
稳压二极管也称为齐纳二极管或者是反向击穿二极管，它是利用PN结反向击穿后，在一定反向电流的范围内反向电压不随反向电流变化这一特点，由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成的。它既具有普通二极管的单向导电性，又可以在工作于反向击穿状态。
01二极管篇（1）暗恋就像根二极管，总是单向的电流。除非你运气好，表白时二极管反向击穿了，否则你就一直这样毫无回报的付出吧，别抱怨，谁让你选二极管呢。（2）爱情里的背叛就像用来消除交越失真的那根二极管，刚知道时你怎么也想不明白为什么是那个人
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
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