我们常用的防反接保护电路，可以用二极管（压降0.7，会有压降损耗），Pmos管，Nmos管来进行我们的防反接电路的设计，这张图是Pmos管组成的防反接电路。

数字电路的门电路主要分为与门电路、或门电路和非门电路，但很少人知道数字电路还可分为双极型门电路和mos型门电路，这两类被归类于集成门电路，今天我们将谈谈集成门电路，探究双极型门电路和mos型门电路的奥妙。一般来说，集成门电路可分为两大类，一

要比喻的话，三极管像绿皮车，mos管像高铁。mos管即场效应管（mosFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。mos管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用

当我们使用 MCU（微控制器）制作产品或者搭建电路时，有时候希望通过 MCU 控制某些外设。外设可能是一个需要极小电流的设备，比如 LED，或者是大功率设备，比如直流电机。大多数初学者很快就会发现，像 Arduino 或树莓派这样的设备不能

mosFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在mosFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压

信息电子技术与电力电子技术在现代工业及多种行业的重要性愈发凸显，随着多项科技技术兴起，从而形成高频化、全控性、采用集成电路制造工艺的电力电子奇迹，从而将电力电子技术带到下一个阶段，其典型代表有晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管，而开

mosFET是DCDC电源电路中最关键的器件之一, mosFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。mosFET和三极管都可作为开关器件,首先简要地对比这两种器件的特性。(1) 三极管器件属于双极型流控器件,为获得大的集电极电流,相应地需注入大的基极电流,且三极管的响应速度在很大程度上受到其内部少数载流子(少子)的影响。而mosFET属于单极型压控器件,工作时,在栅极上消耗的电流极小,且其工作原理只涉及多数载流子(多子),不受少子的影响,因此其响应速度和功率效率都远高于

Cmos全称是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文学名为互补金属氧化物半导体。 在计算机领域，Cmos常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。有时人们会把Cmos和BIOS混称，其实Cmos是主板上的一块可读写的并行或串行

电路解析：当I/O为高电平时，三极管导通，mos管栅极被拉低，1.8V电源导通；当I/O为低电平时，三极管不导通，mos管不导通，1.8V电源不导通。为什么要这样做呢？这个和三极管和mos的特性有很大关系：三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化；mos管是电压控制电流器件，用