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反激电源用变压器储能（隔离+升降压），匝数比 Np:Ns = (Vin×D) / (Vout×(1-D))；变压器原边漏感产生尖峰，用 RCD 钳位吸收；反激适合小功率（<150W）隔离电源，如手机充电器。
本文概述
反激是最常用隔离电源拓扑，面试常考：匝数比、RCD 钳位、变压器设计、CCM/DCM。回答要讲清变压器储能和漏感尖峰。
核心要点
反激变压器既是变压器又是储能电感，原边副边不同时导通
匝数比 Np:Ns = (Vin×D) / (Vout×(1-D))（CCM）
漏感产生电压尖峰，RCD 钳位吸收（电阻+电容+二极管）
DCM 断续模式适合小功率，原边电流归零，输出电压和负载无关
反激适合 <150W 隔离电源，充电器、适配器
面试官考察点
反激核心题。面试官看你是否理解漏感和 RCD。重点听：漏感、尖峰、RCD。
回答思路
讲漏感储能在 MOS 关断时产生尖峰，RCD 钳位吸收。
参考回答
尖峰来源。变压器有漏感 Lk（原边和副边耦合不完全的部分），MOS 导通时漏感储能：
E = 0.5 × Lk × Ip²
MOS 关断时，原边电流要续流，但副边二极管还没导通（死区），漏感能量无处释放，在 MOS 漏极产生高压尖峰（可能是输入电压的 2~3 倍），击穿 MOS。
RCD 钳位。
MOS漏极 ──┬── 二极管(D) ── 电容(C) ── 输入地
│
电阻(R)
│
输入地
MOS 关断，漏极电压上升超过电容电压时，二极管导通，漏感能量给电容充电；
电容电压被钳位在 Vclamp（一般 1.5~2×Vin）；
电阻把电容能量消耗掉（变成热）；
尖峰被限制在 Vclamp + Vin，保护 MOS。
RCD 选型。
| 元件 | 选型 | 说明 |
|---|---|---|
| 钳位电压 | 1.5~2×Vin | 太低损耗大，太高 MOS 耐压高 |
| 电容 C | 1~10nF | 电压纹波小，吸收能量 |
| 电阻 R | 10k~100k | 放电，P=V²/R |
| 二极管 | 快恢复/超快速 | 反向恢复快，耐压 > Vclamp |
匝数比（CCM）。
Np/Ns = (Vin × D) / (Vout × (1-D))
如 Vin=310V（220V AC 整流），Vout=5V，D=0.4：
Np/Ns = (310×0.4)/(5×0.6) = 124/3 ≈ 41
CCM vs DCM。
| 模式 | 原边电流 | 特点 |
|---|---|---|
| CCM 连续 | 不归零 | 输出纹波小，适合大功率，控制复杂 |
| DCM 断续 | 归零 | 简单，输出电压和负载无关，适合小功率 |
注意。
变压器要三明治绕法（原边-副边-原边）减少漏感；
RCD 电阻发热，要选功率足够的；
反激输出二极管要快恢复，反向恢复会产生噪声；
光耦+TL431 做隔离反馈。
