​集成电路制造手册：晶柱成长制程

在集成电路制造工艺过程中，晶柱是必不可少的原材料之一，作为晶柱，随着芯片复杂性越来越高，集成电路也必然要适应相应的变化，这也对晶柱制造工艺提出了更加严格的要求，所以晶柱成长制程有哪些？

1、融化（MeItDown）

此过程是将置放于石英坩埚内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩埚的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩埚的寿命将降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。

2、颈部成长（Neck Growth）

当硅熔浆的温度稳定之后，将<1.0.0>方向的晶种逐渐注入液中，接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定（约6mm），维持次直径并拉长10-20cm，以消除晶种内的排差，此种零排差的控制主要为将排差局限在颈部的成长。

3、晶冠成长（Grown Growth）

长完颈部后，慢慢降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。

4、晶体成长（Body Growth）

利用拉速与温度变化的调整来维持固定的晶棒直径，所以坩埚必须不断的上升来维持固定的液面高度，于是由坩埚传导晶棒及液面的辐射热会逐渐增加。此辐射热源将致使固业界面的温度梯度逐渐变小，所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低，以避免晶棒扭曲的现象产生。

5、尾部成长（Tail Growth）

当晶体成长到固定（需要）的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，这是避免因热应力造成排差与滑移面现象。