最近出了比较多的反激式开关电源设计方案,有私信询问能出一期正激式开关电源的方案吗,那么我们就以500W单管正激式开关电源为例进行简单的剖析。
首先就是确定设计目标,之前用的都是宽电压输入,这次我们用国内标准的220V作为基准电压,那么我们的市电输入在20%上下,也就是输入市电电压范围限定在176~264Vac之间;输出电压我们就用常见的48Vdc,输出功率500W;开关频率选择使用100KHz,这是因为相对于半桥式或者全桥式,正激式开关电源在100KHz频率下,变压器的设计相对简单一些,并且不需要复杂的驱动。
由于我们的输入电压为176~264Vac,那么我们就可以得到整流滤波后的直流电压Vin_min=176*1.4141=249V;考虑到电网波动和整流降压,所以我们取Vin_min=240Vdc;同样我们可以计算出Vin_max=373Vdc;根据滤波电容容值估算Cmin=2*Po*th/(Vin_min²-Vmin_min(allow)²);其中th为保持时间,一般取值在10-20ms之间,我们取15ms;Vin_min(allow)为最低母线电压,我们取200V;所以我们得到Cin=852uF;考虑电解电容的容量会随温度和使用时间衰减,所以一般工程上必须留有1.5—2倍的余量,所以我们可以用3个470uF/450V进行并联。
对于变压器,500W正激式比较常见的磁芯有PQ3535和EE42;这里选用PQ3535;那么Ae=196mm²;△B=0.24T;初级匝数Np=Vin_min*Dmax/(f*△B*Ae);因为正激式变压器需要保证磁芯可靠复位,考虑到复位绕组占空比限制,所以我们取Dmax=0.45;计算得出Np=22.96匝,取整Np=23匝,我们可以选用直径1.2mm铜线单线绕制。
次级匝数Ns=(Vo Vd)*Np/(Vin_min*Dmax)=10.3匝,取整Ns=10匝,我们可以采用直径1.0mm铜线并绕;对于复位绕组Nr,可以和原边绕组匝数相同,同时采用直径0.8mm铜线单股绕制;对于绕制顺序,磁芯从里到外顺序为:原边绕制--三层绝缘层--静电屏蔽层---副边绕制---绝缘层---复位绕组---绝缘层。
接下来是MOS管的选择,我们单管正激式开关电源开关管关断时MOS管的承受电压为Vds_max=Vin_max Vreset Vleak;其中Vreset为复位绕组反射电压,Vreset≈375V;Vleak为漏感尖峰电压,由于测准的难度相当大,所以在工程上一般用(0.1~0.2)Vin_max来表示,按照我们Vin_max=375V来计算,得到Vleak=37.5V到75V之间,我们取最大Vleak=75V,所以Vds_max=2*375 75=825V;为了安全起见,我们增加10%的电压裕量,所以我们可以选择1000V等级的MOS管;电流峰值Ipk=(Io/N) △Im/2=5.2A,综合考虑我们可以选择1000V/10A的MOS管。
关于芯片,之前反激式开关电源有好多留言问采用什么芯片;其实我们可以采用的芯片有很多,现在市面上多数芯片都自带控制芯片且内置多种保护机制,可以很好的胜任各种拓扑结构;但是我个人比较偏爱单独PWM控制芯片加外围保护线路的组合电路。

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