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华为研发EUV光刻技术获得重大突破!

2022-11-28 10:03
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自从中美贸易战的战火涉及华为、中芯国际等企业,美国以断供芯片和EUV光刻机手段重压制裁,人们开始第一次意识到作为“芯片之母”的EUV光刻机的重要性。若是中国想在半导体领域上有所成就,不受限他国,EUV光刻机的研发是不可或缺的。

近日,华为近日公布了一项关于EUV光刻技术的相关专利,专利申请编号为20210524685X,该专利申请将提供一种反射镜、光刻装置及其控制阀,涉及光学领域,能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进而达到匀光的目的。

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如图所示,该专利包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3,其中反射镜2可旋转。相干光源1发出的光纤经过旋转的反射镜2的反射后,通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上,以进行光刻。

该专利可解决EUV光刻相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。

据了解,集成电路制造中,光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节,并决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量,是集成电路制造的关键技术之一。

随着芯片工艺制程向7nm以下节点的推进,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)开始逐渐成为首选的光刻技术。

相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时,相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系,当这些子光束投射在掩膜版上叠加时会形成固定的干涉图样,出现有明暗变化、光强不均匀的问题,因此,必须先进行去相干处理(或者采用避免相干影响),达到匀光效果,以保证光刻工艺的正常进行。


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